- 简易TTL与非门2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 内容：1 简易ttl与非门电路结构及工作原理 1.1 电路结构 1.2 工作原理 1.2.1 电路关态分析 1.2.2 电路开态分析 ...[全文]
- 芯片污染检测/总结2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 对各种污染形式的检测在第八章和第十四章中具体描述。表5.35总结了有关洁净室洁净度的规范。 year of production 2...[全文]
- 晶圆烘干技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- **旋转淋洗烘干机 **异丙醇（ipa）蒸汽烘干法 **表面张力/麦兰烘干法。 完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片...[全文]
- 水的冲洗2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 每一步湿法清洗的后面都跟着一点去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。未来的焦点集聚在提高冲洗效果和...[全文]
- 室温和氧化的化学物质2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 理想的清洗工艺是应用那些完全安全、易于并比较经济地进行处理的化学品，并且在室温下进行。这种工艺并不存在。然而，关于室温下化学反应的研究正在进行。其中一种37是将臭氧与另外两种...[全文]
- 晶圆氧化层的去除2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 我们已经提及了硅片氧化的容易程度。氧化反应可以在空气中发生，或者是在有氧存在的加热的化学品清洗池中。通常在清洗池中生成的氧化物，尽管薄（100~200å）...[全文]
- 常见的化学清洗2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 硫酸。一种常见的清洗溶液是热硫酸添加氧化剂。它也是一种通常的光刻胶去除剂（见第8章）。在90~125 oc的范围中，硫酸是一种非常有效的清洗剂。在这样的温度下，它可以去除晶片...[全文]
- 无机残余物2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 无机残余物是那些不含碳的物质。这样的例子有无机酸，如盐酸，氢氟酸。它们会在晶片制造的其它工序中介绍。关于晶片表面有机物和无机物的去除，有一系列的清洗方案，将在下面的部分介绍。...[全文]
- 晶片有机残余物2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 有机残余物是含碳的化合物，例如指纹中的油分。这些残余物可以在溶剂浸泡池中被去除，例如丙酮，乙醇或tce。一般说来，要想将晶片表面的溶剂完全烘干非常困难，所以如果可能，会尽量避...[全文]
- 高压水清洗2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 对由于静电作用附着的颗粒的去除首先成为玻璃和铬光刻掩膜板的清洗的必须。于是发展为高压水喷洒清洗。将一注小的水流施加2000~4000 psi的压力，水流连续不断地掩膜或晶片的...[全文]
- 晶片刷洗器2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶片外延生长对于晶片清洁程度的严格要求导致了机械的晶片表面洗刷器的发展。同时这一方法也被用在非常关键的颗粒去除中。 刷洗器将晶片承载在一个旋转的真空吸盘上（图5.25）。在一...[全文]
- 污染颗粒怎样去除2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶片表面的颗粒大小可由从非常大的（50微米）变化到小于一微米。大的颗粒可用传统的化学浸泡池和相应的清水冲洗除去。较小的颗粒被几种很强的力量吸附在表面所以很难除去。一种是范德华...[全文]
- 晶片表面清洗2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来，全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。25在这里将要描述的清洗工艺，将贯穿芯片...[全文]
- 洁净室的维护2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 洁净室的定期维护是非常必要的。清洁人员必须要穿着与生产人员一样的洁净服，洁净室的清洁器具，包括拖把，也要仔细选择。一般家庭使用的清洁器具太脏，无法在洁净室使用。而且使用真空吸...[全文]
- 洁净室的物质与供给2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 除了工艺化学品以外，加工晶圆还需要大量的其他物质与供给。这些物品须满足洁净度要求。记录单、表格和笔记本都需要用无脱落表面的纸张或聚脂塑料制造。铅笔是不允许使用的，钢笔须是不能...[全文]
- 化学气体污染2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 除了许多湿（液体）化学品工艺制程，半导体晶圆还要使用许多气体来加工。这些气体有从空气中分离出来的如氧气、氮气和氢气，还有特制的气体如砷烷和四氯化碳。 和化学品一样，气体也必...[全文]
- 工艺化学品污染2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在制造工厂中，用于刻蚀和清洗晶圆和设备的酸、碱、溶剂必需是最高纯度的。涉及的污染物有金属离子微粒和其它化学品。与水不同的是，工艺化学品是采购来的，直接运输到工厂后使用。工业化...[全文]
- 工艺用水2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在晶圆制造的整个过程中，晶圆要经过多次的化学刻蚀与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷 。在整个的制造过程中，晶圆总共要在冲洗的系统中待上好几个小时，一个现代的晶圆制造厂每...[全文]
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