室温和氧化的化学物质
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:319
理想的清洗工艺是应用那些完全安全、易于并比较经济地进行处理的化学品，并且在室温下进行。这种工艺并不存在。然而，关于室温下化学反应的研究正在进行。其中一种37是将臭氧与另外两种浓度的氢氟酸溶液（图5.27）在室温下注入盛有超纯净水的清洗池。超声波作为辅助以提高清洗的有效性。
喷洒清洗。标准的清洗技术是浸泡在湿法清洗台或全自动机器中的化学池中进行的。当湿法清洗被应用到0.35到0.50微米的技术时代时，也相应出现了一些顾虑。化学品越来越多，浸泡在池中会导致污染物的再次沉积，而且晶片表面越来越小，越来越深的图形阻碍了清洗的有效性。多样的清洗方法于是开始结合。喷洒清洗具有几个优越性。化学品直接喷到晶片表面而无需在池中保持大量的贮备，导致化学品的成本降低。化学品用量的减少也使得处理和除去运化学废物的花费降低。清洗效果也有所提高。喷洒的压力有助于清洗晶片表面带有深孔的很小的图形。而且，再次污染的机率也变小。喷洒的方法由于晶片每次接触的都是新鲜的化学品，使允许清洗后立即进行清水冲淋，而无需移至另外的一个清水冲洗台上进行。
干法清洗。关于湿法浸泡方法的考虑拒绝了对于气相清洗的想法和发展。对于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蚀液的蒸汽中。氢氟酸/水的混合蒸汽经证实可用来去除氧化物，以过氧化物为基础的清洗液的气相取代物也有存在。38
这一工业最终的梦想是完全的干法清洗和干法刻蚀。目前，干法刻蚀（等离子体，见第9章）已经很完善得建立起来。干法清洗正在发展之中。紫外臭氧可以氧化并光学分离晶片表面形成的污染物。
低温清洗。 理想的清洗工艺是应用那些完全安全、易于并比较经济地进行处理的化学品，并且在室温下进行。这种工艺并不存在。然而，关于室温下化学反应的研究正在进行。其中一种37是将臭氧与另外两种浓度的氢氟酸溶液（图5.27）在室温下注入盛有超纯净水的清洗池。超声波作为辅助以提高清洗的有效性。
喷洒清洗。标准的清洗技术是浸泡在湿法清洗台或全自动机器中的化学池中进行的。当湿法清洗被应用到0.35到0.50微米的技术时代时，也相应出现了一些顾虑。化学品越来越多，浸泡在池中会导致污染物的再次沉积，而且晶片表面越来越小，越来越深的图形阻碍了清洗的有效性。多样的清洗方法于是开始结合。喷洒清洗具有几个优越性。化学品直接喷到晶片表面而无需在池中保持大量的贮备，导致化学品的成本降低。化学品用量的减少也使得处理和除去运化学废物的花费降低。清洗效果也有所提高。喷洒的压力有助于清洗晶片表面带有深孔的很小的图形。而且，再次污染的机率也变小。喷洒的方法由于晶片每次接触的都是新鲜的化学品，使允许清洗后立即进行清水冲淋，而无需移至另外的一个清水冲洗台上进行。
干法清洗。关于湿法浸泡方法的考虑拒绝了对于气相清洗的想法和发展。对于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蚀液的蒸汽中。氢氟酸/水的混合蒸汽经证实可用来去除氧化物，以过氧化物为基础的清洗液的气相取代物也有存在。38
这一工业最终的梦想是完全的干法清洗和干法刻蚀。目前，干法刻蚀（等离子体，见第9章）已经很完善得建立起来。干法清洗正在发展之中。紫外臭氧可以氧化并光学分离晶片表面形成的污染物。
低温清洗。
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喷洒清洗。标准的清洗技术是浸泡在湿法清洗台或全自动机器中的化学池中进行的。当湿法清洗被应用到0.35到0.50微米的技术时代时，也相应出现了一些顾虑。化学品越来越多，浸泡在池中会导致污染物的再次沉积，而且晶片表面越来越小，越来越深的图形阻碍了清洗的有效性。多样的清洗方法于是开始结合。喷洒清洗具有几个优越性。化学品直接喷到晶片表面而无需在池中保持大量的贮备，导致化学品的成本降低。化学品用量的减少也使得处理和除去运化学废物的花费降低。清洗效果也有所提高。喷洒的压力有助于清洗晶片表面带有深孔的很小的图形。而且，再次污染的机率也变小。喷洒的方法由于晶片每次接触的都是新鲜的化学品，使允许清洗后立即进行清水冲淋，而无需移至另外的一个清水冲洗台上进行。
干法清洗。关于湿法浸泡方法的考虑拒绝了对于气相清洗的想法和发展。对于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蚀液的蒸汽中。氢氟酸/水的混合蒸汽经证实可用来去除氧化物，以过氧化物为基础的清洗液的气相取代物也有存在。38
这一工业最终的梦想是完全的干法清洗和干法刻蚀。目前，干法刻蚀（等离子体，见第9章）已经很完善得建立起来。干法清洗正在发展之中。紫外臭氧可以氧化并光学分离晶片表面形成的污染物。
低温清洗。 理想的清洗工艺是应用那些完全安全、易于并比较经济地进行处理的化学品，并且在室温下进行。这种工艺并不存在。然而，关于室温下化学反应的研究正在进行。其中一种37是将臭氧与另外两种浓度的氢氟酸溶液（图5.27）在室温下注入盛有超纯净水的清洗池。超声波作为辅助以提高清洗的有效性。
喷洒清洗。标准的清洗技术是浸泡在湿法清洗台或全自动机器中的化学池中进行的。当湿法清洗被应用到0.35到0.50微米的技术时代时，也相应出现了一些顾虑。化学品越来越多，浸泡在池中会导致污染物的再次沉积，而且晶片表面越来越小，越来越深的图形阻碍了清洗的有效性。多样的清洗方法于是开始结合。喷洒清洗具有几个优越性。化学品直接喷到晶片表面而无需在池中保持大量的贮备，导致化学品的成本降低。化学品用量的减少也使得处理和除去运化学废物的花费降低。清洗效果也有所提高。喷洒的压力有助于清洗晶片表面带有深孔的很小的图形。而且，再次污染的机率也变小。喷洒的方法由于晶片每次接触的都是新鲜的化学品，使允许清洗后立即进行清水冲淋，而无需移至另外的一个清水冲洗台上进行。
干法清洗。关于湿法浸泡方法的考虑拒绝了对于气相清洗的想法和发展。对于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蚀液的蒸汽中。氢氟酸/水的混合蒸汽经证实可用来去除氧化物，以过氧化物为基础的清洗液的气相取代物也有存在。38
这一工业最终的梦想是完全的干法清洗和干法刻蚀。目前，干法刻蚀（等离子体，见第9章）已经很完善得建立起来。干法清洗正在发展之中。紫外臭氧可以氧化并光学分离晶片表面形成的污染物。
低温清洗。
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