- MOSFET的结构及基本工作原理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- mosfet是metal-oxide-silicon field effect transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以...[全文]
- 集成npn管的版图设计2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 1) ic对晶体管的要求 如同分立晶体管一样，集成晶体管必须具有一定的耐压，有良好的频率特性，具有较低的噪声系数，能承受一定的电流容量，具有低的r...[全文]
- 最小面积晶体管2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 集成电路版图设计通常是由集成电路中晶体管版图开始的，而该晶体管版图通常是最小面积晶体管的版图。因此，掌握什么是最小面积晶体管，其版图是如何确定的非常重要...[全文]
- 版图设计过程：由底向上过程2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 主要是布局布线过程 布局：将模块安置在芯片的适当位置，满足一定目标函数。对级别最低的功能块，是指根据连接关系，确定各单元的位置，级别高一些的，是分配较低级别功能块...[全文]
- 标准加工线用户2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- foundry的用户可分成三种主要类型：整机厂家、ic设计公司和ic芯片制造专业公司。各类用户的表现特征如下表所示。 foundr...[全文]
- 标准工艺加工线 (Foundry)2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- foundry引入ic后，通常称之为晶园代工线，它是用来制造用户特定设计的asic的一种方式，它运用成熟的标准工艺为多方用户服务，既保证有符合技术规范要...[全文]
- IC生产线模式2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- ic生产线主要有两种模式：大批量生产线与标准工艺生产线。 1). 集成电路大批量生产线(ic mass production line) 这是一种传...[全文]
- 钝化工艺2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在集成电路制作好以后，为了防制外部杂质，如潮气、腐蚀性气体、灰尘侵入硅片，通常在硅片表面加上一层保护膜，称为钝化。 目前，广泛采用的是氮化硅做保护膜，其加...[全文]
- 化学机械研抛光技术(CMP)2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 化学机械研磨技术（化学机械抛光， cmp）兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。 ...[全文]
- 铜制程技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在传统铝金属导线无法突破瓶颈之情况下，经过多年的研究发展，铜导线已经开始成为半导体材料的主流，由于铜的电阻值比铝还小，因此可在较小的面积上承载较大的电流，让厂商得...[全文]
- PVD2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- pvd主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材...[全文]
- CVD2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 化学气相淀积(chemical vapor deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 cvd...[全文]
- SiO2的制备方法2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 热氧化法干氧氧化水蒸汽氧化湿氧氧化干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法氢氧合成氧化化学气相淀积法热分解淀积法溅射法 干法氧化通常用来形成栅极二氧化硅膜...[全文]
- 氧化及热处理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 硅氧化成二氧化硅工艺是集成电路工艺的又一个重要的工艺步骤。氧化工艺之所以重要是因为在集成电路的选择掺杂工艺中，二氧化硅层是掺杂的主要屏蔽层，同时由于二氧...[全文]
- 二氧化硅层的主要作用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- ①在mos电路中作为mos器件的绝缘栅介质，是mos器件的组成部分 ②扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、si3n4层一起使用)阻挡层 ③作为集成电...[全文]
- 退火2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。根据注入的杂质数量不同，退火温度一般在450~950℃之间。 激活杂质：使不在...[全文]
- 版图设计的准备工作2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在进行版图设计以前，必须进行充分的准备工作。一般包括以下几方面。 ①了解工艺现状，确定工艺路线 确定选...[全文]
- 晶闸管的外形结构2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 外形有螺栓型和平板型两种封装引出阳极a、阴极k和门极（控制端）g三个联接端对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其...[全文]
- 场区寄生MOSFET2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 当互连铝线跨过场氧区b、c两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使器件电路性能变差，乃至失效。 ...[全文]
- SBD在TTL中起到的嵌位作用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 肖特基势垒二极管（sbd）具有可用于改善集成电路三个特点，即正向压降低、开关时间短和反向击穿电压高。 由于ttl集成电路在提高...[全文]
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