- 晶体知识点归纳2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶体,晶格,格点,晶胞,晶胞参数离子晶体原子晶体金属晶体分子晶体晶格点微粒正,负离子原子金属原子或离子分子微粒间作用力离子键共价键金属键分子间力熔点,沸点较高高一般较高,部分...[全文]
- 晶胞?2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶体的基本结构单位,客观地反映了晶体结构三维周期性的晶格,将晶体结构截分为一个个彼此互相并置而等同的平行六面体的基本单位,即为晶胞。晶胞包括两个要素:一是晶胞的大小、型式;...[全文]
- 素晶胞与复晶胞(体心晶胞、面心晶胞和底心晶胞)2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 有一个真实的故事:有一次我的一个学生写了一份讲晶胞的讲稿,把晶胞说成晶体的“最小平移单位”,我读后把“最小”改为“基本”,指出晶胞不一定是晶体微观空间的“最小”平移单位,写...[全文]
- 晶胞中原子的坐标与计数2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶胞中的原子可用向量xa + yb + zc中的x, y, z组成的三数组来表达它在晶胞中的位置,称为原子坐标,如,位于晶胞原点(顶角)的原子的坐标为0,0,0;位于晶胞体心...[全文]
- 晶胞问答ABCD2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 2003年3月日本筑波材料科学国家实验室一个研究小组发现首例带结晶水的晶体在5k下呈现超导性。据报道,该晶体中含有最简式为的层状结构,结构如下图(小球表示co原子、大球表示o...[全文]
- Intel放弃157nm光刻技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 5月23日,intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略,将放弃采用157nm的光刻机。这一消息的公布,将极大地影响半导体设备制造业及材料供应商。intel最初将希望寄托在...[全文]
- 矿物油型真空泵油的发展概况2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- [简介]: 本文介绍了真空泵油的应用现状和我国矿物油型真空泵油的发展,分析了国外真空泵油的发展水平,及真空泵油的理化指标对真空获得设备的作用,以求得到抛砖引玉的效果。 ...[全文]
- 扩散泵工作区域扩展的探索2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- [简介]: 本文介绍通过研制扩散增压泵以扩展传统扩散泵高压强段工作区域的探索,详细介绍了扩散增压泵研制过程中获取的抽气能力调试各类数据,并试图探索及掌握影响扩散增压泵抽气能力...[全文]
- 等离子显示器障壁结构及制作工艺的进展2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 等离子显示器障壁结构及制作工艺的进展 牟新强 潘建华 (上海松下等离子显示器有限公司 浦东金穗路1398号) 摘要 本文总述近年来p...[全文]
- 光刻工艺2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 光刻工艺过程与一般器件相同,包括有:涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制,温度过高,时间太长,易造成显影困难;温度低,时间短,易造成浮...[全文]
- 光纤照明的狂想2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 邋邋伟大的发明家沃勒先生早在艾默生发明电灯以前,就不遗余力地推广着他的水管照明系统,那是一项希望将地下室里面明亮的电弧光引导到房间内的照明技术。今天,灯光设计师们则使用着机器...[全文]
- 光纤的模式和波长2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 同一根单模光纤,在传播相对较长波长的光波时,是基模传播;但传播相对较短波长的光波时可能就变成不单只传输基模了。那是因为决定光纤能够传播多少个模式的波导的归一化频率v与传播光的...[全文]
- 流量计的应用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 科学技术的发展和流量测试技术研究的深入,近几年来气体超声流量计的问世引起了流量界广泛的兴趣。美国 aga 于 1998 年发布了 aga9 号报告〈〈用多声道超声...[全文]
- Magma用户组大会多篇论文分享IC物理设计技巧2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在最近举行的magma design automation用户组大会fusion 03上,设计师分享了使用magma ic物理设计工具的技巧。magma公司fusion用...[全文]
- 深亚微米IC物理设计流程中的串扰控制2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- crosstalk noise control in deep submicron physical design flow 王胤翔 周凤亭 陆生礼 摘 要:信号...[全文]
- 经典常见术语表2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- absolute section(绝对段)具备不可被链接器改变的固定(绝对)地址的段。access ram (存取ram,仅限pic18cxxx系列器件)这是数据存储器ra...[全文]
- Virtuso Layout Editor 快捷键归纳2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 写在前面:以下我所归纳的快捷键是我在版图培训时通过阅读cadence帮助文件和菜单命令一个个试出来的,有些我只知道作用而暂时想不到相应的中文翻译。还有一些快捷键帮助文件中有,...[全文]
- layout布局经验总结2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 布局前的准备: 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2 cell名称不能以数字开头.否则无法做dra...[全文]
- 印制板技术水平的标志2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 印制板技术水平的标志,对于双面和多层孔金属化印制板而言:即是以大批量生产的双面孔金属化印制板,在2.50mm或2.54mm标准网格交点上的两个焊盘之间,能布设导线的根数作为标...[全文]
- DRC 规则文件的编写2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 仍旧以前面的非门为例,我们制定了以下规则:1.a n 阱(well) n 阱的最小宽度 4.8u1.b 阱与阱之间的最小间距 1.8u1.c ndiff 到nwell 的最小...[全文]
热门点击
- 彩电屡烧行管的几点问题讨论
- 素晶胞与复晶胞(体心晶胞、面心晶胞和底心
- 纳米技术材料
- 关于 .cdsenv 的小技巧
- `celldefine 和 `endce
- 测试硬件简介---探针卡(prober
- MOS晶的阈值电压VT
- MOS晶体管的衬底偏置效应
- 什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些
- 画standard cell的注意点
IC型号推荐
- FODM3053R1 NL
- FODM3053R1_NF098
- FODM3053R1V
- FODM3053R1V NL
- FODM3053R2
- FODM3053R2 NL
- FODM3053R2_NF098
- FODM3053R2V
- FODM3053R2V NL
- FODM3053R3
- FODM3053R3 NL
- FODM3053R3V
- FODM3053R3V NL
- FODM3053R4
- FODM3053R4 NL
- FODM3053R4V
- FODM3053R4V NL
- FODM3053V
- FODM3053V NL
- FODM3062
- FODM3062R1
- FODM3062R2
- FODM3063
- FODM3063R1
- FODM3063R2
- FODM3082
- FODM3082R1
- FODM3082R2
- FODM3083
- FODM3083R1