- supply0和supply1线网2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- supply0用于对“地”建模,即低电平0;supply1网用于对电源建模,即高电平1;例如:supply0 gnd, clkgnd;supply1 [2:0] vcc; ...[全文]
- wand和triand线网2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 线与(wand)网指如果某个驱动源为0,那么线网的值为0。线与和三态线与(triand)网在语法和功能上是一致的。wand [-7 : 0] dbus;triand rese...[全文]
- `celldefine 和 `endcelldefine2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 这两个程序指令用于将模块标记为单元模块。它们表示包含模块定义,如下例所示。`celldefinemodule fd1s3ax (d, ck, z) ;. . . endmod...[全文]
- `unconnected_drive和`nounconnected_drive2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在模块实例化中,出现在这两个编译器指令间的任何未连接的输入端口或者为正偏电路状态或者为反偏电路状态。`unconnected_drive pull1. . ./*在这两个程序...[全文]
- `resetall2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 该编译器指令将所有的编译指令重新设置为缺省值。`resetall例如,该指令使得缺省连线类型为线网类型。 ...[全文]
- include 编译器2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- `include 编译器指令用于嵌入内嵌文件的内容。文件既可以用相对路径名定义,也可以用全路径名定义, 例如:`include " . . / . . /primitiv...[全文]
- 制造半导体器件和电路2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂,很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面,包括多层的导体配合以绝缘体(图4.10四层截面)。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定...[全文]
- 热处理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 热处理是简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程。在热处理的过程中,在晶圆上没有增加或减去任何物质,另外会有一些污染物和水汽从晶圆上蒸发。 在离子注入制程后会有一步重要的热...[全文]
- 掺杂2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程(图4.8)。它有两种工艺方法:热扩散(thermal diffusion)和离子注入(implantation),都在...[全文]
- 光刻2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺(图4.7)。在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 光...[全文]
- 增层2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。分析图4.4的简单mos晶体管可看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们是由不同的材料组成,使用多种工艺生...[全文]
- 晶圆生产的目标2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 芯片的制造,分为四个阶段:原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。前两个阶段已经在本书的第三章涉及。本章讲述的是第三个阶段,集成电路晶圆生产的基础...[全文]
- 晶圆制备复习问题2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 复习问题 1. 在多晶结构里原子不是有序排列的(对/错)。 1. 在单晶结构里晶胞不是有序排列的(对/错)。 2. 画一个晶胞立方并指出<100>晶面。 3. &...[全文]
- 晶圆制备关键术语和概念2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 关键术语和概念 晶体 籽晶 晶胞 熔融物 多晶 晶体生长 单晶 直拉法 晶体定向 区熔法 <100>晶面 液体掩盖直拉法 <111>晶面 晶圆参考面 ...[全文]
- 晶圆外延2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 尽管起始晶圆的质量很高,但对于形成互补金属氧化物半导体(cmos)器件而言还是不够的,这些器件需要一层外延层。许多大晶圆供应商有能力在供货前对晶圆外延。此器件技术在16章中讨...[全文]
- 晶圆包装2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 虽然花费了许多努力生产高质量和洁净的晶圆,但从包装方法本身来说,在运输到客户的过程中,这些品质会丧失或变差。所以,对洁净的和保护性的包装有非常严格的要求。包装材料是无静电、不...[全文]
- 晶圆在发货到客户之前的氧化2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶圆在发货到客户之前可以进行氧化。氧化层用以保护晶圆表面,防止在运输过程中的划伤和污染。许多公司从氧化开始晶圆制造工艺,购买有氧化层的晶圆就节省了一个生产步骤。氧化工艺在第...[全文]
- 晶圆评估2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在包装以前,需要根据用户指定的一些参数对晶圆(或样品)进行检查。图3.24列举了一个典型的规格要求。 主要的考虑是表面问题如颗粒,污染和雾。这些问题能够用强光或自动检查设备来...[全文]
热门点击
- 彩电屡烧行管的几点问题讨论
- 素晶胞与复晶胞(体心晶胞、面心晶胞和底心
- 纳米技术材料
- 关于 .cdsenv 的小技巧
- `celldefine 和 `endce
- 测试硬件简介---探针卡(prober
- MOS晶的阈值电压VT
- MOS晶体管的衬底偏置效应
- 什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些
- 画standard cell的注意点
IC型号推荐
- FF600R17KF6C-B2
- FF600R25KF1
- FF6122
- FF6122 1A
- FF6306.1
- FF650R17IE4
- FF7404
- FF75R12KE3
- FF75R12KT3
- FF75R12YT3
- FF800R12KE3
- FF800R12KF4
- FF800R12KL4C
- FF800R16
- FF800R16KF4
- FF800R17KE3
- FF800R17KE3_B2
- FF800R17KE3-B2
- FF800R17KE6C-B2
- FF800R17KF6B2
- FF800R17KF6C
- FF800R17KF6C_B2
- FF800R17KF6CB2
- FF800R17KF6C-B2
- FF900R12IP4
- FFA05U120DN
- FFA05U120DNTU
- FFA10U120DN
- FFA10U120DNTU
- FFA10U40DN