晶圆烘干技术
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:434
**旋转淋洗烘干机
**异丙醇（ipa）蒸汽烘干法
**表面张力/麦兰烘干法。
完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片匣固充器中。在这一圆筒状容器的中心是一排连接着去离子水和热氮气的带孔的管子。（图5.33）
烘干的过程实际起始于晶片的冲洗，因为晶片是围绕着喷水的中心管柱旋转的。然后，当热氮气从中心管柱中喷出时，srd转换为高速旋转。不难想象，旋转把水从晶片表面甩掉。热氮气可帮助去除紧附于晶片上的小的水珠。
srds还可以设计用来做单个晶片承载器的烘干。承载器可以被滑动推入反应室内部的一个旋转固定器中。水和氮气从其侧壁进入反应室而不是通过一个位中心的管柱。冲洗和烘干是在承载器绕其自身的轴线旋转时进行的。这种类型的srd称为轴线烘干机。这两种烘干机均被应用于全自动的晶片清洗和刻蚀工艺。作为晶片清洗机，其所需的化学品通过管道连接到机器上，又由用（微处理机）控制的阀门将正确的化学品输送到反应室中。
异丙醇（ipa **旋转淋洗烘干机
**异丙醇（ipa）蒸汽烘干法
**表面张力/麦兰烘干法。
完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片匣固充器中。在这一圆筒状容器的中心是一排连接着去离子水和热氮气的带孔的管子。（图5.33）
烘干的过程实际起始于晶片的冲洗，因为晶片是围绕着喷水的中心管柱旋转的。然后，当热氮气从中心管柱中喷出时，srd转换为高速旋转。不难想象，旋转把水从晶片表面甩掉。热氮气可帮助去除紧附于晶片上的小的水珠。
srds还可以设计用来做单个晶片承载器的烘干。承载器可以被滑动推入反应室内部的一个旋转固定器中。水和氮气从其侧壁进入反应室而不是通过一个位中心的管柱。冲洗和烘干是在承载器绕其自身的轴线旋转时进行的。这种类型的srd称为轴线烘干机。这两种烘干机均被应用于全自动的晶片清洗和刻蚀工艺。作为晶片清洗机，其所需的化学品通过管道连接到机器上，又由用（微处理机）控制的阀门将正确的化学品输送到反应室中。
异丙醇（ipa
-->
**异丙醇（ipa）蒸汽烘干法
**表面张力/麦兰烘干法。
完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片匣固充器中。在这一圆筒状容器的中心是一排连接着去离子水和热氮气的带孔的管子。（图5.33）
烘干的过程实际起始于晶片的冲洗，因为晶片是围绕着喷水的中心管柱旋转的。然后，当热氮气从中心管柱中喷出时，srd转换为高速旋转。不难想象，旋转把水从晶片表面甩掉。热氮气可帮助去除紧附于晶片上的小的水珠。
srds还可以设计用来做单个晶片承载器的烘干。承载器可以被滑动推入反应室内部的一个旋转固定器中。水和氮气从其侧壁进入反应室而不是通过一个位中心的管柱。冲洗和烘干是在承载器绕其自身的轴线旋转时进行的。这种类型的srd称为轴线烘干机。这两种烘干机均被应用于全自动的晶片清洗和刻蚀工艺。作为晶片清洗机，其所需的化学品通过管道连接到机器上，又由用（微处理机）控制的阀门将正确的化学品输送到反应室中。
异丙醇（ipa **旋转淋洗烘干机
**异丙醇（ipa）蒸汽烘干法
**表面张力/麦兰烘干法。
完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片匣固充器中。在这一圆筒状容器的中心是一排连接着去离子水和热氮气的带孔的管子。（图5.33）
烘干的过程实际起始于晶片的冲洗，因为晶片是围绕着喷水的中心管柱旋转的。然后，当热氮气从中心管柱中喷出时，srd转换为高速旋转。不难想象，旋转把水从晶片表面甩掉。热氮气可帮助去除紧附于晶片上的小的水珠。
srds还可以设计用来做单个晶片承载器的烘干。承载器可以被滑动推入反应室内部的一个旋转固定器中。水和氮气从其侧壁进入反应室而不是通过一个位中心的管柱。冲洗和烘干是在承载器绕其自身的轴线旋转时进行的。这种类型的srd称为轴线烘干机。这两种烘干机均被应用于全自动的晶片清洗和刻蚀工艺。作为晶片清洗机，其所需的化学品通过管道连接到机器上，又由用（微处理机）控制的阀门将正确的化学品输送到反应室中。
异丙醇（ipa
相关技术资料- 6-23MOSFET驱动器和碳化硅（SiC）二极管工作原理
- 6-23PWM-VID和PSI两种控制模式技术应用参数设计
- 6-23高频高功率供电电源芯片应用前景研究
- 6-23 130A、非隔离式、双相降压处理器核心技术介绍
- 6-23Intelli-Module双两相降压MPC22163-130
- 6-23PCI Express（PCIe）7.0标准应用探究
- 6-23TPU超高功率密度电源模块MPC24380
- 6-21全新紧凑型解决方案QPQ3550应用探究
- 6-21功率半导体用树脂模塑结构NTC热敏电阻
- 6-21新一代量子芯片Quantum Loon应用详解
- 6-21AT-MEMORY AI处理技术参数设计
- 6-21ARM和RISC-V处理器工作原理
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
