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化学气体污染

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:261

除了许多湿（液体）化学品工艺制程，半导体晶圆还要使用许多气体来加工。这些气体有从空气中分离出来的如氧气、氮气和氢气，还有特制的气体如砷烷和四氯化碳。
和化学品一样，气体也必须清洁地传输至工艺工作台与设备中。气体质量由以下四项指标来衡量：

1．纯度
2．水气含量
3．微粒
4．金属离子
所有工艺气体都要求极高的纯度，用于氧化、溅射、等离子刻蚀、化学气相沉积（cvd）、活性离子刻蚀、离子注入和扩散等工艺的气体也有特殊要求。所有涉及化学反应的工艺都需要能量。如果工艺气体被其它气体污染，则预期的反应就会产生显著改变，或者在晶圆表面的反应结果也产生改变。例如，一罐溅射工艺用氩气里如果有氯杂质，就会导致生成的溅射薄膜有影响器件的恶果。气体纯度由成份数表示，纯度一般从99.99%到百分之99.999999% ，取决于气体本身和该气体在工艺中的用途。纯度由小数点右边的九的位数表示，最高纯度级别可为“6个9纯”。20
保持气体

除了许多湿（液体）化学品工艺制程，半导体晶圆还要使用许多气体来加工。这些气体有从空气中分离出来的如氧气、氮气和氢气，还有特制的气体如砷烷和四氯化碳。
和化学品一样，气体也必须清洁地传输至工艺工作台与设备中。气体质量由以下四项指标来衡量：

1．纯度
2．水气含量
3．微粒
4．金属离子
所有工艺气体都要求极高的纯度，用于氧化、溅射、等离子刻蚀、化学气相沉积（cvd）、活性离子刻蚀、离子注入和扩散等工艺的气体也有特殊要求。所有涉及化学反应的工艺都需要能量。如果工艺气体被其它气体污染，则预期的反应就会产生显著改变，或者在晶圆表面的反应结果也产生改变。例如，一罐溅射工艺用氩气里如果有氯杂质，就会导致生成的溅射薄膜有影响器件的恶果。气体纯度由成份数表示，纯度一般从99.99%到百分之99.999999% ，取决于气体本身和该气体在工艺中的用途。纯度由小数点右边的九的位数表示，最高纯度级别可为“6个9纯”。20
保持气体
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