- 化学气相淀积基础2015/11/7 21:53:14 2015/11/7 21:53:14
- 毫无疑问，淀积薄G2997F6U膜的数量和种类的增加促进了许多淀积技术的问世。20世纪60年代的艺师只能选择常压化学气相淀积(CVD)，而今天的工艺师则有更多的选择（见图12.4）。这些技术在_...[全文]
- 连续传导加热APCVD2015/11/6 19:55:38 2015/11/6 19:55:38
- 两种水平热传导的APCVD系统的功能是将反应室外的气体混合在一起，AD7549TQ并将气体“喷洒”在晶圆上。其中一种设计是将被加热的板式晶圆托架在一系列的气体申前后移动（见图12.15）；另一种...[全文]
- 水平炉管一热感应式APCVD2015/11/6 19:48:51 2015/11/6 19:48:51
- 首先被广泛采用的CVD是在双极型器件中硅外延膜的淀积。基本系统的设计仍在使用（9L/图12.11）．，基本上是一个水平炉管式的反应炉，AD7549KN但有些显著的差别。首先，炉管有一个方...[全文]
- 离子注入的应用2015/11/6 19:28:54 2015/11/6 19:28:54
- 离子注入可以成为任何淀积的替代工艺。AD7548JR它有更好图11.39离子剂量的等高线图的可控性且没有侧向扩散，使它成为高密度、小特征尺寸电路的首选掺杂丁艺。CMOS器件中的预淀积应用就是高能...[全文]
- 推进氧化2015/11/5 18:26:20 2015/11/5 18:26:20
- 扩散工艺的第二个主要部分就是推进氧化步骤。它的不同称谓有推进(drive-in)、AD667JR扩散(diffusion)、再氧化(reoxidation)或reox。这一步的目的是双重的：在晶...[全文]
- 扩散源2015/11/5 18:24:48 2015/11/5 18:24:48
- 淀积依赖于待掺杂物质蒸气原子在炉管中的浓度。蒸气产生于炉管设备上的杂质源箱内的杂质源，AD6630AR由携带气体带入炉管中。杂质源为液态、固态或气态。多种元素有超过一种形态的杂质源可以使用（见图...[全文]
- 对两种光刻胶的选择是相当复杂的2015/11/3 20:11:11 2015/11/3 20:11:11
- 接着，在第一层光刻胶的上面，再徐一层相对比较薄的对紫外线敏感的正胶。这一层薄NCP346SN1T1顶层光刻胶避免了厚胶的不利因素和晶圆表面的反射光的影响，可以达到很好的分辨率。因为顶层光刻胶依底...[全文]
- 其他曝光问题2015/11/3 19:48:59 2015/11/3 19:48:59
- 第8章对于图形的分辨率和曝光波长进行了探讨。在一般情况下，NCP304HSQ30T1对于更小图形的方法是使用一个更短波长的光源。然而，这将导致一个更小的景深。在亚0.5ym的范围内，曝光工艺从I...[全文]
- 为r使超大规模集成电路2015/11/2 21:15:58 2015/11/2 21:15:58
- 为r使超大规模集成电路(VI．SI)和甚大规模集成电路(ULSl)正常工作，分辨率EL2045CS和对准要求非常严格。1977年，最小特征图形尺寸是3斗m。到了20世纪80年代中期，突破了1ht...[全文]
- 干法去胶2015/11/2 21:11:07 2015/11/2 21:11:07
- 同刻蚀一样，EL2030CS于法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中，并通入氧气（见图9.26）。等离子体场把氧气激发到高能状态，因而将光刻胶成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。...[全文]
- 平面等离子体刻蚀2015/11/2 20:58:15 2015/11/2 20:58:15
- 平面等离子体刻蚀：对于更EL1537IREZ精确的刻蚀，平板式等离子体系统受到青睐。这种系统含有桶式系统的基本构成，但晶圆被放置在一个有接地的，在射频(RF)电极下的盘上（见图9.22）。刻蚀实...[全文]
- 淀积氧化物湿法刻蚀2015/11/2 20:43:34 2015/11/2 20:43:34
- 晶圆E的最终膜层之一是一层在铝膜上的二氧化硅钝化膜。这些膜是蒸气氧化或硅氧化膜。EL1508ES膜的化学成分是硅氧化物（与热生长二氧化硅相同），它要求不同的刻蚀溶液。不同之处是所要求的刻蚀剂的选...[全文]
- 干法（或等离子）显影2015/11/1 18:53:39 2015/11/1 18:53:39
- 液体工艺的消除一直是一个长期目标。它佃难于集成到自动化生产线，L6219并且化学品的采购、储存、控制和处理费用高昂。取代液体化学显影液的途径是使用等离子体刻蚀工艺．j于法等离子体刻蚀对于刻蚀晶圆...[全文]
- 正光刻胶显影2015/11/1 18:44:16 2015/11/1 18:44:16
- 曝光后，预期的图形在正光刻胶中按熙聚合光刻胶（启动条件）和未聚合的光刻胶（由曝光引起的）的区域被编码。两个区域（聚合的和未聚合的区域）KSZ8842-32MVL有不同的溶解率，约为1：4。这意味...[全文]
- 接近式光刻机2015/11/1 18:23:12 2015/11/1 18:23:12
- 接近式光刻机：接近式光K7R161882B-FC25000刻机是接触式光刻机的自然演变。该系统本质上是—个接触式光刻机，只是带有使晶圆近距离接触或软接触掩模版的机械装置。有时接近式光刻机也称为软...[全文]
- 对准和曝光2015/10/31 19:38:38 2015/10/31 19:38:38
- 对准和曝光(A&E)，EL5411IREZ-T7是十步基本光刻工艺步骤之一，顾名思义，有两个分立的动作。对准和曝光的第一步是把所需图形在晶圆表面上定位或对准。第二步是通过曝光灯或...[全文]
- 移动带式热板2015/10/31 19:29:44 2015/10/31 19:29:44
- 在集成系统中，EL5167IWZ-T7使用单片晶圆熟板在生产率上的局限在于旋转步骤的总体时间。典型的旋转时间为25—40s，这就意味着要想使晶圆连续不停地“流动”，软烘焙就必须在这个时间范围内完...[全文]
- 光刻工艺：从表面准备到曝光2015/10/30 22:31:19 2015/10/30 22:31:19
- 接下来的内容将介绍基本的光刻Ij艺十步法。其中包括每一步的目的、ADC10154CIWM技术考虑和挑战、选项和I：艺控制方法等，对于先进的设计规则光刻工艺使用这些基本的工艺步骤的变化和不同的组合...[全文]
公网安备44030402000607
