首先被广泛采用的CVD是在双极型器件中硅外延膜的淀积。基本系统的设计仍在使用（9L/图12. 11）．，基本上是一个水平炉管式的反应炉， AD7549KN但有些显著的差别。首先，炉管有一个方形的截面。然而，主要的区别还在于加热的方法和晶圆的托架结构。

   晶圆被排放在一个扁平的石墨层板上，并放置在炉管内。炉管上缠绕着与射频发生器连接的铜线圈。线圈内传输的射频流经石英管和管内未被加热的流动气体传播，此为冷壁系统。当射频传播至石墨托架时，与石墨托架的分子耦合反应，引起石墨的温度升高。这种加热方法称为感应( induction)式。

   托架的热量以传导的方式输送给晶圆，薄膜淀积在晶圆的表面（托架表面也同时被淀积）。该系统存在的一个问题是，在横向流动的气流中伴随着气流的向下流动。系统需要的是层流气流，这样有利于减小涡流。但是，如果晶圆被平放在反应室内，接近晶圆表面的气流由于反f、\而被损耗，从而导致沿托架方向淀积的薄膜逐渐变薄。该问题可以通过调整石英晶圆托架的倾斜度得到改善（见图12. 12）。