图8-3为各种结型场效应管的电路符号。沟道的表示方法与普通三极管的基极相似，漏极、 R8025源极从沟道上、下对称引出，表示两极可以互换。这种结型场效应管只有在接入电路时才能区分源极、漏极。一般电路中，漏极D画在沟道顶部、源极画在沟道底部。箭头表示栅极，同普通三极管一样，箭头指向表示从P型指向N型材料。所以，图8-3(a)中箭头指向沟道，即为N型沟道结型场效应管，这类管子有3DJl-3DJ9系列；图8-3(b)中箭头背离沟道，即为P型沟道结型场效应管。

   (a)N型沟道结型场效应管  (b)P型沟道结型场效应管

   图8-3  结型场效应管的电路符号

   绝缘栅型场效应管四种管型的特性

   场效应晶体管是一种单极型半导体器件，其基本功能是用栅、源极间电压控制漏极电流。具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点。绝缘栅型场效应管（简称为MOS簪）的四种管型及特性见表8-1所示。

   表8—1  绝缘栅型场效应管（简称为MOS管）的四种管型及特性