为r使超大规模集成电路( VI．SI)和甚大规模集成电路(ULSl)正常工作，分辨率EL2045CS和对准要求非常严格。1977年，最小特征图形尺寸是3斗m。到了20世纪80年代中期，突破了1ht,m。20世纪90年代0.5 ym已很普遍，并有0.35 ym的技术计划用于生产电路。电路设计的预期要求是到2016年最小栅条尺寸达到10~15 1111_1L3”。

   芯片制造商对于每个电路产品计算要一些预留量( budget)?关键尺寸(CD)预留量是计算晶圆表面图形尺寸町允许的变化量。对于亚微米最小特征图形尺寸的产品，关键尺寸的余量是1 00/c~15%34。另外一个值得关注的量是相对于最小特征图形尺寸的关键缺陷尺寸。这两个参数被一起放在一个为产品计算好的误差预留量( error budget)中。套准预留量(over-lay budget)是整套掩模版可允许的累计定位误差。一个单凭经验的方法是微米或亚微米特征尺寸的电路必须符合最小特征三分之一的标注公差。对于0.35 ym的产品，允许的套准预留最大约是0.1。

  习题

  学习完本章后，你应该能够：

  1．画出晶圆在显影之前及之后的剖面图。

  2．列出显影的方泫。

  3．解释硬烘焙的方法和作用。

  4．列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少5个原因。

  5．画出显影一检验一返工过程的示意图。

  6．解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。

  7．列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器：、

  8．解释最终检验的方法和作用。