扩散工艺的第二个主要部分就是推进氧化步骤。它的不同称谓有推进( drive-in)、AD667JR扩散(diffusion)、再氧化( reoxidation)或reox。这一步的目的是双重的：在晶圆的杂质再分布和在暴露的硅表面再生长新的

   1．杂质在晶圆中向更深处的再分布。在淀积过程中，高浓度但很浅的杂质薄层扩散进晶圆表面。推进过裎没有杂质源。就像喷雾瓶按下喷嘴后喷出的物质会不断地扩散到整个房间一样，仅

是热推动杂质原子向晶圆的更深度和更广度扩散。在此步中，淀积所引入的原子数量(Q)恒定不变。表面的浓度降低，原子形成新的形状分布。推进步骤后的分布在数学上用高斯分布来描述（见图11. 16）结深的增加。通常，推进氧化工艺的温度高于淀积步骤。

   2．推进氧化的第二个目的就是暴露的硅表面的氧化。炉管中的氛围是氧气或水蒸气，杂 质向晶圆推进的同时进行氧化。

   一些扩散步骤后，会对工程电路芯片上的测试结构进行电测试以获得结的参数。