- 冗余电路2015/11/14 16:38:15 2015/11/14 16:38:15
- 冗余是设计卜包含额外电路结构。如果一个或多个结构不能工作，就由其他部分完成E作。IR3094MPBF冗余的折中是增大的芯片尺寸。而且额外的电路要求在主电路中探测功能和非功能结构并指导功能器件的选...[全文]
- 动态随机存储器2015/11/14 16:34:46 2015/11/14 16:34:46
- 动态随机存储器：动态随机存储器(DRAM)一词基于两种主要的设计：动态和IR3086AMPBF静态（见图17.9）。动态存储器称为DRAM或动态RAM，在计算机存储器中大量使用。存储单元设计的基...[全文]
- 存储器电路2015/11/14 16:25:37 2015/11/14 16:25:37
- 1960年前后，IR3081MTR产业预言家就开始预言固体存储器电路将取代传统的磁心存储器。固体电路的优势在于它的可靠性高、尺寸小和速度快。直到20世纪70年代初，固态存储器最终超越磁心存储器。...[全文]
- 双极型晶体管2015/11/13 21:24:33 2015/11/13 21:24:33
- 双极型晶体管：NJM79M05FA在固态晶体管中也存在同样的部件和功能。双极型晶体管既可以表现为简单的开关器件也可以作为双掺杂的平面结构（见图16.14）。电流从发射极（水箱）出来经过基极（阀）...[全文]
- 堆叠电容器2015/11/13 21:19:47 2015/11/13 21:19:47
- 堆叠电容器：另一种节NJ1030AUS省晶圆表面面积的方法是在晶圆表面形成“堆叠电容器”(stackedcapacitor)。动态随机存储器(DRAM)对于小的高介电质的要求促进了这项技术的发展...[全文]
- 对一个过程设计SPC系统2015/11/12 20:17:12 2015/11/12 20:17:12
- X-R控制图的价值在于其可预见性。一个受AD8544AR控的工艺产生的数据点趋向于在平均值附近有规律地变化（见图15.17的上部）。关于一个受控工艺的数学计算可以预计这种规律性的波动，同时它还可...[全文]
- 设备标准2015/11/12 20:08:15 2015/11/12 20:08:15
- 由于芯片制造商需要有许多家供应商提供原材料和设备，加上苛刻的芯片制造技术要求，HY5RS123235BFP-11对于标准化的要求就显而易见了。在许多行业，不同的制造商倾向于建立它们自己的“标准”...[全文]
- 拥有成本2015/11/12 19:56:13 2015/11/12 19:56:13
- 当购置设备的决定从纯粹的技术考虑转向商务因素考虑时，拥有成本(Cost>C00)的模型便逐渐发展起来了。这种模型尝试着将影响处于寿命期内的机器、HY57V561620FTP-H工艺或厂房的全部所...[全文]
- 账面一单据(book to bill)比率2015/11/12 19:54:41 2015/11/12 19:54:41
- 商务方面最受关注的工业因素是账面一单据比率(b/b)。账面指在一段时期内收到的销售订单在账面上的金额。单据指发出账单的金额。HY57V281620FTP-H-C对于正常的业务，收到订单后，在售出...[全文]
- 平移量与氧化膜层中的可动离子污染物的数量2015/11/11 19:31:17 2015/11/11 19:31:17
- 平移量与氧化膜层中的可动离子污染物的数量、氧化膜厚度和晶圆掺杂有关。REF102AP电容一电压分析，只能得到其值，并不能区分氧化膜层的污染元素（钠、钾、铁等），也不能决定污染物的来源。这些污染物...[全文]
- 双极型晶体管2015/11/11 19:26:08 2015/11/11 19:26:08
- 双极刭晶体管是■个区、两结器件，将在第16章中介绍。从电性能方面看，RHRP15120它们町以看成是两个二极管以背靠背的形式相连接。为了得知双极型晶体管的特性，人们已经做了许多测试。分别对单结特...[全文]
- 俄歇电子谱2015/11/11 19:13:48 2015/11/11 19:13:48
- 在扫描电镜中，NCP584LSN12T1G二次电子的范围（波谱）是通过激发电子束得到的。其中部分波谱是从距表面几个纳米的地方释放的。这些电子，是大家熟知的俄歇电子(Augerelectron)，...[全文]
- 扫描电镜厚度测量2015/11/10 19:58:38 2015/11/10 19:58:38
- 扫描电镜(SEM)技术能够用来测量结深和薄膜厚度。晶圆在结点破损位置刨开，IRF4905L暴露的晶圆结点可通过以下所述的任一方法测量出来。将暴露的横截面放置在扫描电镜电子束下，与晶...[全文]
- 在薄膜卜测量的电性能称为方块电阻2015/11/9 20:02:03 2015/11/9 20:02:03
- 上面介绍的四探针测试仪方法主要用于测量晶圆掺到晶体的电阻率。同时，AD8313ARM-T它也可以测量由掺杂工艺掺到晶圆表面的薄掺杂层的电阻率。当用四探针测试仪测量掺杂层时，电流被限制在薄层内（见...[全文]
- 阻挡层或衬垫层2015/11/9 19:46:28 2015/11/9 19:46:28
- 前面已提及铜容易扩散穿过二氧化硅层，并且如果它进入电路的器件则可能引起电性能问题。通过AD8031ART-REEL7在通孑L底部和侧面淀积一个衬垫层(liner)可以解决这个问题（见图13.18...[全文]
- 氮化硅2015/11/8 18:32:00 2015/11/8 18:32:00
- 氮化硅可替代氧化硅使用，HDMP-1034AG特别是对顶部保护层。氮化硅比较硬，可以比较好地保护开始表面避免划伤，氮化硅也是一种较好的湿气和钠的阻挡层（无掺杂），具有较高的绝缘强度...[全文]
- 绝缘体和绝缘介质2015/11/8 18:27:09 2015/11/8 18:27:09
- 淀积薄膜中最常用的方法是CVD，其在器件或电路中的作用为绝缘体或绝缘介质，应用HCPL4504-500E广泛的两种薄膜是二氧化硅和氮化硅，通常，‘在器件和电路的设计中，它们的用途具有多样性。虽然...[全文]
- SOS和 SOl2015/11/8 18:25:25 2015/11/8 18:25:25
- SOS裥S()I这两个缩写分别代表了Siliconhref="http://www.51dzw.com/HCP_S/HCPL2601S.html">HCPL2601S丽者都足指在非半导体表面淀积...[全文]
- 原子层淀积2015/11/7 22:19:27 2015/11/7 22:19:27
- 与其他每种微芯片工艺类似，CVD已经随着尺寸改变而改变。下一代CVD系统加入了原子层淀积(AtomicLayerDeposition，ALD)。GL2576除了独特的脉冲调制技术，它基于基本的C...[全文]
- 水平炉管一热感应式APCVD2015/11/7 22:02:37 2015/11/7 22:02:37
- 首先被广泛采用的CVD是在双极型器件中硅外延膜的淀积。基本系统的设计仍在使用（9L/图12.11），基本上是一个水平炉管式的G548B2P1UF反应炉，但有些显著的差别。首先，炉管有一个...[全文]
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