第8章对于图形的分辨率和曝光波长进行了探讨。在一般情况下， NCP304HSQ30T1对于更小图形的方法是使用一个更短波长的光源。然而，这将导致一个更小的景深。在亚0.5 ym的范围内，曝光工艺从I线延伸到EUV。景深的问题需要其他改进，包括可变的NA透镜、环形照明、离轴照明和相移掩模版。此外，随着图形的尺寸变得更小和图案密度的增加，光学效应逐渐起作用。接下来，研究这些问题和解决方案。

   当更多的信息要制作在先进的电路上时，所有上述技术问题变得十分复杂。随着特征尺寸的缩小，芯片尺寸的增加，器件的堆叠和更好的设计，更多的信息（每平方厘米）要放在掩模版上101。这一趋势也迫使光刻机，特别是步进式光刻机进一步发展，它包括透镜系统、曝光源、光刻胶和其他一些图形增强技术，比如光源的改进、相移掩模版等（见下文）。这些技术的运用有效地降低了上述分辨率极限公式中的后值。