平面等离子体刻蚀：对于更EL1537IREZ精确的刻蚀，平板式等离子体系统受到青睐。这种系统含有桶式系统的基本构成，但晶圆被放置在一个有接地的，在射频( RF)电极下的盘上（见图9.22）。刻蚀实际上发生在等离子体中、刻蚀离子相比在桶式系绕中是有方向性的，这将导致更加各向异性刻蚀。用等离子体刻蚀町以得到几、乎垂直的侧边。在该系统中，旋转晶圆盘可以增加刻蚀均匀性。 等离子体场平面等离子体系统被设计成批量和单片晶圆反应室配置。单片晶圆系统因其可对刻蚀参数紧密控制，并得到均匀刻蚀而受到欢迎。此外，带有加载室的单片晶圆系统可以保持高产量并可与在线自动化配合。

   产生射频的平板式等离子体源在0. 35 lxm工艺中正在被新形式等离子体源所取代1!8i，．在考虑中的高密度、低压的等离子体源是电子回旋加速器共振( ECR)、高密度反射电子、海利康( Helicon)波、感应耦合等离子体(ICP)和变压器耦合等离子体(TCP)等。

   干法刻蚀的优点在于如下各个方面：刻蚀率、辐射损伤、选择性、微粒的产牛、刻蚀后腐蚀和拥有成本.