同刻蚀一样， EL2030CS于法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中，并通入氧气（见图9. 26）。等离子体场把氧气激发到高能状态，因而将光刻胶成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化( ashing)用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺．，等离子去胶需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中，等离子体由微波、射频( RF)和紫外(UV)-臭氧源共同作用产生[27]。

   等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设计来减少这个问题的影响。因而被称为下游去胶机( downstream stripper)，这是因为等离子体在晶圆的下游产生。MOS晶圜在去胶中对辐射影响更加敏感。

   工业对干法等离子体工艺取代湿法去除期待已久。然而，氧等离子体不能去除移动离子的金属污染，并且有一定程度的金属残留和辐射损伤，这使得湿法去除或湿法一千法结合继续保持着光刻胶去除工艺的主流地位。等离子体去除被用于硬化的光刻胶层，然后以湿法来去除未被等离子体去掉的残留物。有专门的湿法去胶机处理这些硬化的光刻胶层。