晶圆E的最终膜层之一是一层在铝膜上的二氧化硅钝化膜。这些膜是蒸气氧化或硅氧化膜。 EL1508ES膜的化学成分是硅氧化物（与热生长二氧化硅相同），它要求不同的刻蚀溶液。不同之处是所要求的刻蚀剂的选择性不同。

   通常刻蚀二氧化硅的刻蚀剂是缓冲氧化物刻蚀溶液。但是缓冲氧化物刻蚀会腐蚀下层的铝压点，导致在封装工艺中产生压焊问题。这种情况会使压点变成褐色( Brown)，或压点上出现污渍( stain)。受青睐的刻蚀剂是氟化胺和醋酸1:2的混合水溶液。

   氮化硅湿法刻蚀

   对于钝化层，另外一种受青睐的化合物是氮化硅．，可以用液体化学的方法来刻蚀，但是不像其他层那样容易。使用的化学品是热磷酸(180℃)。因酸液在此温度下会迅速蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行（见图9. 19）。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。