对准和曝光(A&E)，EL5411IREZ-T7是十步基本光刻工艺步骤之一，顾名思义，有两个分立的动作。对准和曝光的第一步是把所需图形在晶圆表面上定位或对准。第二步是通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成是器件和电路正常T作的决定性因素。此外，晶圆加工时间的60%都在光刻区域中。

   除了图形的形状和尺寸控制外，图形套准或对准误差是一个关键的参数。再次用摩天大楼类比是有用的。如果电梯的楼层不对齐，将造成电梯系统功能的严重问题。在集成电路也适用同样的原则。个别图形层必须恰当地放到里面和遮盖，以确保器件功能。精确的误差是关键尺寸和特定电路节距的百分比。随着图形层数增多，套准误差受到挑战。在2011版ITRS关于光刻章节讨论了被使用的不同规则2。

   直到20世纪70年代中期，可供光刻胶工艺师选择的光刻和曝光设备只有两种：它们是接触式光刻机和接近式光刻机。这两种使用掩模图形系统。所需层的图形首先产生在玻璃基板E：的铬层中。这种图形又被转移到光刻胶层。光源照射穿过模，并在光刻腋层中将图形编码为聚合和未聚合区域。