曝光后，预期的图形在正光刻胶中按熙聚合光刻胶（启动条件）和未聚合的光刻胶（由曝光引起的）的区域被编码。两个区域（聚合的和未聚合的区域）KSZ8842-32MVL有不同的溶解率，约为1：4。这意味着在显影中总会从聚合的区域失去一些光刻胶（见图9.3）。使用过度的显影液或显影时间过长可能导致光刻胶薄到不能接受的程度，其结果是可能导致在刻蚀中翘起或断裂。

   有两种类型的化学显影液用于正光刻胶，碱水溶液和非离子溶液。碱一水溶液可以是氢氧化钠或氢氧化钾。因为这两种溶液都含有可动的离子污染物，所以在制造敏感的电路时不能使用。大多数用正光刻胶的工艺线使用非离子的四甲基氢氧化铵( TMAH)溶液。有时要添加表面活性剂来去除表面张力，使溶液更易亲合晶圆表面。正光刻胶的水溶性使它们在环保上比有机溶液的负光刻胶更具吸引力。