毫无疑问，淀积薄G2997F6U膜的数量和种类的增加促进了许多淀积技术的问世。20世纪60年代的艺师只能选择常压化学气相淀积( CVD)，而今天的工艺师则有更多的选择（见图12.4）。这些技术在_F文中进行描述。

   至此，我们已经多次使用r淀积( deposition)和CVD等术语，但没有给出进一步的解释。在半导体工艺中，淀积指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程；而生长膜，如二：：氧化硅，是从晶圆表面的材料上生长形成的。大多数薄膜是采用CVD技术淀积而成的。从概念上讲，其T艺较为简单（见图12.5）：含有薄膜所需的原子或分子的化学物质在反应审内混合并在气态下发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面并聚集，形成薄膜。图12.5示意出四氯化硅( S1Cl4)与氢(H_)反应，在晶圆上形成的淀积为硅层。在进行CVD反应时，反应系统需要额外的能量，用于加热反应室或晶圆。

   发生的化学庋应可以分为4种类型：高温分解反应、还原反应、氧化反应和氮化反应（见图12.6）．，高温分解(pyrolysis)反应是仅受热量驱动的化学反应过程。还原反应(reduction)是分子和氢气的化学反应过程。氧化反应( oxidation)是原子或分子和氧气的化学反应过程，氮化反应（nitridation）是形成氮化硅的化学工艺过程。