增层
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:404
增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。分析图4.4的简单mos晶体管可看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们是由不同的材料组成,使用多种工艺生长或淀积的。
这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是化学汽相淀积(cvd) 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。
层别(layers) 热氧化工艺(thermal oxidation) 化学汽相淀积工艺(chemical vapor deposition) 蒸发工艺 (evaporation) 溅射工艺(sputtering)
绝缘层
这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是化学汽相淀积(cvd) 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。
层别(layers) 热氧化工艺(thermal oxidation) 化学汽相淀积工艺(chemical vapor deposition) 蒸发工艺 (evaporation) 溅射工艺(sputtering)
绝缘层
增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。分析图4.4的简单mos晶体管可看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们是由不同的材料组成,使用多种工艺生长或淀积的。
这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是化学汽相淀积(cvd) 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。
层别(layers) 热氧化工艺(thermal oxidation) 化学汽相淀积工艺(chemical vapor deposition) 蒸发工艺 (evaporation) 溅射工艺(sputtering)
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这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是化学汽相淀积(cvd) 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。
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