制造半导体器件和电路
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:332
当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。64g cmos 器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗，和多达28层膜版。1尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。图4.11列出了基础工艺和每一个工艺方案的原理。在图中的是一个简单器件-mos栅极硅晶体管的构成，插图说明了制造的顺序。这类晶体管各部分的功能和晶体管的工作原理在第十四章有详细阐述。
basic operation 基本工艺 process 制程方法 options 具体分类
layering 当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。64g cmos 器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗，和多达28层膜版。1尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。图4.11列出了基础工艺和每一个工艺方案的原理。在图中的是一个简单器件-mos栅极硅晶体管的构成，插图说明了制造的顺序。这类晶体管各部分的功能和晶体管的工作原理在第十四章有详细阐述。
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layering 当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。
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