位置：51电子网 » 技术资料 » 其它综合

掺杂

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:906

掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程（图4.8）。它有两种工艺方法：热扩散（thermal diffusion）和离子注入（implantation），都在第十一章有详细阐述。
热扩散是在1000摄氏度左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素汽态下。扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。汽态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，热扩散也被称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。
离子注入是一个物理反应过程。晶圆被放在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另一端。在离子源一端，掺杂体原子被离化（带有一定的电荷），被电场加到超高速，穿过晶圆表层。原子的动量将掺杂原子注入晶圆表层，好象一粒子弹从枪内射入墙中。
掺杂工艺的目的是在晶圆表层内建立兜形区, 或是富含中子（n型）或是富含空穴（p型）。这些兜形区形成电性活跃区和pn

掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程（图4.8）。它有两种工艺方法：热扩散（thermal diffusion）和离子注入（implantation），都在第十一章有详细阐述。
热扩散是在1000摄氏度左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素汽态下。扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。汽态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，热扩散也被称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。
离子注入是一个物理反应过程。晶圆被放在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另一端。在离子源一端，掺杂体原子被离化（带有一定的电荷），被电场加到超高速，穿过晶圆表层。原子的动量将掺杂原子注入晶圆表层，好象一粒子弹从枪内射入墙中。
掺杂工艺的目的是在晶圆表层内建立兜形区, 或是富含中子（n型）或是富含空穴（p型）。这些兜形区形成电性活跃区和pn
-->

上一篇：光刻

上一篇：热处理

相关技术资料
6-23​MOSFET驱动器和碳化硅（SiC）二极管工作原理
6-23​PWM-VID和PSI两种控制模式技术应用参数设计
6-23​高频高功率供电电源芯片应用前景研究
6-23​ 130A、非隔离式、双相降压处理器核心技术介绍
6-23Intelli-Module​双两相降压MPC22163-130
6-23​PCI Express（PCIe）7.0标准应用探究
6-23TPU超高功率密度电源模块​MPC24380
6-21全新紧凑型解决方案QPQ3550应用探究
6-21功率半导体用树脂模塑结构NTC热敏电阻
6-21​新一代量子芯片Quantum Loon应用详解
6-21​AT-MEMORY AI处理技术参数设计
6-21​ARM和RISC-V处理器工作原理
相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

罗盘误差及补偿
    造成罗盘误差的主要因素有传感器误差、其他磁材料干扰等。... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线：13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功！