- 程序存储器的几个特殊单元2016/7/9 20:54:35 2016/7/9 20:54:35
- 程序存储器低端的一些地址被固定地用于特定的入口地址,如图3.⒓所示。ADC0834CCN其中一组特殊单元是0OO0H~0002H。系统复位后,e0=0oooH,单片机从0000H单元开始执行程序...[全文]
- 内部RAM高128单元2016/7/8 21:26:06 2016/7/8 21:26:06
- 内部RAM高128单元是供给专HA60150V3-E02U-A99用寄存器使用的,因此称之为专用寄存器区(也称为特殊功能寄存器区,sFR区),单元地址为⒛H~0FFH。⒛C51共有”个专用寄存器...[全文]
- sOC51的内部数据存储器2016/7/8 21:23:11 2016/7/8 21:23:11
- sOC51内部RAM有256个单元,通常在空间上分为两个区;低128个单元(OOH~7FH)的内部数据△`M区和高128个单元(80H~0FFH)的专用寄存器sFR区。内部RAM低...[全文]
- 存储单元和位数同时扩展2016/7/8 20:44:56 2016/7/8 20:44:56
- 如果存储器芯片既要扩展位数,又要扩H-31-MAGNET展存储器单元,下面将举例说明如何连接及连接中应考虑的一些问题。若用2114(1K×4位)来扩展2K×8位RAM,这既需要位数...[全文]
- 存储器的扩展2016/7/7 22:08:05 2016/7/7 22:08:05
- 存储器位数的扩展当存储器位数不满足要求时,需要进AFB0312HA-A行存储器位数的扩展,例如图2.15:要构成2K×16位只读存储器,可以采用两片2K×8位的存储器构成,将两个芯...[全文]
- 闪存ATz9LVO40A芯片介绍2016/7/7 22:01:27 2016/7/7 22:01:27
- Atmel公司生产的NOR闪存AT29LV040A可与各种单片机连接。AFB02512HA-AOE输出允许(读)信号线;WE写允许信号线;I/o...[全文]
- 24C044K位串行E2PROM2016/7/6 22:29:00 2016/7/6 22:29:00
- zCOZ1是一个4K位串行CMOs′PROM,内部分成32页,每页16字节,存储空间为32×16=512字节(4∞⒍8=512)。24C⒄可编程/擦除百万次,数据可保存100年;具有写保护功能,...[全文]
- 复合译码结构2016/7/6 22:17:08 2016/7/6 22:17:08
- 当地址线数丿增大时,译码器的输出线数将会呈指数规律上升,变得很大,给工艺加工带来不便。ACPL-M60L-500E实际设计中,往往采用行、列两个方向同时译码的复合译码结构,图2.4...[全文]
- 信号测量电路设计和仿真2016/7/6 21:43:27 2016/7/6 21:43:27
- ①单击对象选择按钮“P”,添加以下元件:RES(电阻)、弘⒄(非门)、AT89C51(单片机)、74HC138(译码器)、7sEG~MPX6CABLUE(数码管)和CLOCK(待测信号源)。AA...[全文]
- 验证实例 2016/7/3 17:44:23 2016/7/3 17:44:23
- 经测量,0,18umCMOS工艺器件的击穿电压为4.2V,按照加速应力电压小于90%的击穿电压的原则,NJM7805DL1A确定出器件热载流子注入效应的漏极应力电压,列于表11,7中。根据漏极应...[全文]
- 难熔金属2016/7/3 17:29:01 2016/7/3 17:29:01
- 难熔金属(Mo、W、△-W、△-N)有玻璃钝化,5×1JA/cm2;金导体中最大允许的NDP4060电流密度是6×105A/cm2流密度是1×1yA/cm2;其他金属导体中最大允许的电流密度是2...[全文]
- 与非门中顶端NMOS管最易发生热载流子退化2016/7/2 18:38:58 2016/7/2 18:38:58
- 从该表中可看出,与非门的模拟寿命约是实际寿命的54倍,而或非门模拟寿命约是实际寿命的30倍。减小MOS管热载流子效应就可从电路拓扑结构和器件参数两方面来考虑。首先,AD8051AR...[全文]
- 集成电路可靠性仿真技术发展多年2016/7/1 22:54:32 2016/7/1 22:54:32
- 集成电路可靠性仿真技术发展多年,CAP005DG相继开发出许多模型和仿真方法,大多数先进的仿真工具主要采用模拟器件退化过程,并通过迭代计算得到器件退化后的输出特性的方法进行可靠性仿真,最有名的仿...[全文]
- 反型状态下能带和电荷分布2016/6/30 21:51:54 2016/6/30 21:51:54
- 当栅极和半导体间的正电压进一步增大时,表面处能带相对体内将进一步向下弯曲。M0334SC200如图9,11(a)所示,表面处费米能级高于禁带中央能量鸟,即费米能级导带离价带更近一些。这意味着界面...[全文]
- 积累状态下能带和电荷分布2016/6/30 21:49:54 2016/6/30 21:49:54
- 以P型衬底为例进行说明,当栅极加负偏压%s<0,表面势为负值。此时氧化层与半导体的界面的能带会向上弯曲,并且在界面附近会吸引聚集一些空穴,M0334SC120使空穴数目变得更多,并且堆积在...[全文]
- 天线效应的设计规则是指允许的金属面积和栅介质的面积之比2016/6/29 21:23:43 2016/6/29 21:23:43
- 天线效应的设计规则是指允许的金属面积和栅介质的面积之比,该比例由每层金属各自确定。HCPL-2630-000E设计规则中定义的面积为所有连接到栅且没有连接到扩散区的总面积。如果工艺支持不同的栅氧...[全文]
- MOs器件的栅氧化层2016/6/29 21:11:40 2016/6/29 21:11:40
- MOs器件的栅氧化层对电场增强特别敏感,高的电场将引起薄氧化层的击穿和热电子的俘获。HCNR201-500E栅氧化层的击穿是MOs器件的基本失效机理。目前,MOs器件的栅氧化层厚度可以小于1。⒛...[全文]
- 优化设计2016/6/28 23:32:38 2016/6/28 23:32:38
- 噪声在集成电路中可以成为一个很大的问题,特别是当电路是一个要接收某一很微弱信号的非常敏感的电路,而它又位于一个进行着各种计算、ADS1271IPW控制逻辑和频繁切换的电路旁的时候,此时应特别注意...[全文]
- 器件制造中的影响因素 2016/6/28 22:04:04 2016/6/28 22:04:04
- MOS场效应管的沟道长度￡由多晶硅条的宽度确定,沟道宽度〃则由晶体管有源区的边长所确定。ADM2483BRWZ-REEL版图上的MOS场效应管尺寸称为设计尺寸,这个尺寸决定掩模版上的图形尺寸。器...[全文]
- 自对准多晶硅栅互补金属氧化物半导体场效应晶体管2016/6/26 20:25:44 2016/6/26 20:25:44
- 集成电路从诞生到现在已经过了50多年的发展时间,在这50多年的时间里,IXGH20N120技术的发展取得了巨大的进步。19⒛年至2008年之间,sRAM单元的面积从170Oum2缩小到32nms...[全文]
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