注入离子所造成的晶格损伤,对材料的电学性质将产生重要的影响。例如由A3245EUA于散射中心的增加,使载流子迁移率下降;缺陷中心的增加,会使非平衡少数载流子的寿命减少,PN结的漏电流也因此而增大。另外,离子注入的掺杂机理与热扩散不同,在离子注入中,是把欲掺杂的原子强行射入晶体内,被射入的杂质原子大多数都存在于晶格间隙位置,起不到施主或受主的作用。而且注入区的晶体结构又不同程度地受到破坏,注入的杂质更难处于替代位置。如果注入已变为非晶区,根本就谈不上替位与间隙。所以,采用离子注入技术进行掺杂的硅片,必须消除晶格损伤,并使注入的杂质转入替位位置以实现电激活。晶格损伤的消除采用热退火的方式进行,恢复其少子寿命和迁移率,使掺入的杂质进入晶格位置,实现一定比例的电激活。