- 圆片级电迁移可靠性评价技术 2016/6/26 20:02:27 2016/6/26 20:02:27
- 传统的评价电迁移的方法是封装法。对样品进行封装后,置于高温炉中,并在IXFM40N30样品中通过一定电流,监控样品电阻的变化。当样品的电阻变化到一定比例后,就认为其发生电迁移而失效,这期间经过的...[全文]
- 双极电路的PCM测试结构的作用2016/6/25 23:04:14 2016/6/25 23:04:14
- 双极电路的PCM测试结构的作用。薄层电阻结构,包括埋层、外延层、穿透、隔离、基区、发射区、DAC08Q金属Al的薄层电阻测试结构等,主要用来考察双极电路各工序方块电阻;接触电阻结构,包括金属与基...[全文]
- PCM基本的技术特点如下2016/6/25 23:00:38 2016/6/25 23:00:38
- PCM基本的技术特点如下:(1)简化突出单项工艺,测试结果准确。PCM与产品同样经历整个工艺流程,DAC08HPZ测试结果反映了该批器件中工艺参数的实际情况。...[全文]
- PCM技术特点 2016/6/25 22:57:44 2016/6/25 22:57:44
- PCM技术是利用微电子测试结构获取基本的工艺参数和工艺质量信息,从而进DAC08HP行工艺质量监测和控制的技术。PCM基本的测试结构如下:(1)薄层电阻测试结构,包括扩散层薄层电阻...[全文]
- 标准评价电路2016/6/25 22:53:40 2016/6/25 22:53:40
- 标准评价电路(standardEva丨uaUOnCircuit,SEC)承制方应具有包含准备认证的技术或工艺的SEC。承制方的sEC应用于证明技术制造工艺可靠性。SEC设计文件应包...[全文]
- 选择焊接技术便越来越受到重视2016/6/24 22:31:23 2016/6/24 22:31:23
- 为了适应电子产品的轻、薄、短、小化及多功能、高可靠的发展要求,电子产E32-D11L品结构中采用PCB混合组装工艺方式的比例越来越大。不仅是THC/THD和sMσSMD混合组装越来越普遍,甚至T...[全文]
- 加速寿命试验概述 2016/6/23 22:03:10 2016/6/23 22:03:10
- 随着生产技术发展以及用户对产品质量的要求越来越高,高可靠长寿命的产品越来越多,ADM1088AKSZ-REEL7受试样品在短时间内难以出现失效问题,因此完全的寿命试验和截尾寿命试验都不能适应这种...[全文]
- 可靠性的定量表征2016/6/23 21:51:35 2016/6/23 21:51:35
- 产品在规定的条件下和规定的时间内,完成规定功能的能力称为可靠性。这是1957年AGIuE研究报告给出的可靠性定义。规定的时间:时间是可靠性的核心。ADM1069AST-REEL通常而言,工作时间...[全文]
- 反电动势的大小与线圈电感量2016/6/23 21:45:29 2016/6/23 21:45:29
- 反电动势的大小与线圈电感量、直流电ADM1068ASTZ压和电流大小有关。它引起电压的瞬间跳动值是电源电压的2~5倍,这种瞬变电压的大小应采用“记忆示波器”进行检测,测得的数值是电路设计,尤其是...[全文]
- 铝在多晶中电热迁移形成C中N+间短路的情况2016/6/22 21:34:52 2016/6/22 21:34:52
- 在浪涌电流作用下,电路某处会出现结间短路现象,也是硅在铝中溶解并在铝中电迁移造成的。在NMOs集成电路中,为防止J2-Q01B-A静电损伤和浪涌电流造成栅穿,一般在输入端加有保护电...[全文]
- 键合引线失效2016/6/22 21:25:18 2016/6/22 21:25:18
- 键合引线的作用是在芯片与金属引线框架之间建立电连接。键合引线的失效会使相应的引脚失去功能,Q2006DH4从而使器件失效,是超大规模集成电路常见的失效形式。1)失效机理...[全文]
- 改进措施2016/6/22 21:24:03 2016/6/22 21:24:03
- (1)改用低吸湿性树脂,提高树Q2006DH3脂纯度,减少其中所含Na+、C「等有害杂质。(2)降低树脂的热膨胀系数,添加耦合剂,改变引线框架形状,以改善材料间黏合强度,防...[全文]
- 减小NBTl效应的措施2016/6/21 23:06:05 2016/6/21 23:06:05
- 为了减小NBTI效应,必须降低⒏/s⒑2界面处的初始电激活缺陷密度,并且使水远离氧化物。OF35HA100D2在多晶硅沉积过程中,芯片表面的水被赶走,生成较少水沾污的氧化层。使用氮化硅覆盖层可以...[全文]
- 金属化电迁移2016/6/20 21:21:45 2016/6/20 21:21:45
- 当器件工作时,金属互连线的铝条内有一定的电流通过,金属离子会沿导体产生质量的运输,HBAA-40Q-A其结果会使导体的某些部位出现空洞或晶须(小丘),即电迁移现象。块状金属中,其电流密度较低((...[全文]
- Bi-CMOS工艺 2016/6/19 18:26:40 2016/6/19 18:26:40
- Bi-CMOS工艺是将双极型器件工艺和CMOs工艺结合在一起形成的一种工艺,兼具双极和CMOs工艺的优点。CMOs具有功耗低、噪声容限大、EP3C120F780C7N集成度高的优点。双极器件具有...[全文]
- 栅形成2016/6/18 20:49:07 2016/6/18 20:49:07
- >长栅氧化层。OP220GS-REEL7再沉积多晶硅作为栅极,如图4.7所示。图4.7栅氧生长及多晶硅沉积栅极多晶硅沉积完成后采用绀...[全文]
- CMOs工艺的发展2016/6/18 20:40:18 2016/6/18 20:40:18
- CMOs意为互补氧化物,其全称为ComplementMetal-Oxidc-scmiconduGtor。19“年,Wanlass和s洫首先提出互补逻辑的概念。1966年,RCA公司第一次展示了C...[全文]
- 净化间的环境控制 2016/6/18 20:27:40 2016/6/18 20:27:40
- 净化间的沾污源主要有7种:空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体及生产设各。净化间使用的空气是经过净化过滤的空气,这种空气只含有非常少的颗粒。净化间OP2177AR的净化级别标...[全文]
- 污染物引起的问题 2016/6/15 21:09:59 2016/6/15 21:09:59
- (1)器件工艺成品率下降。污染改CY27H512变了器件的尺寸,使表面洁净度和平整度下降。在污染环境中制成的器件工艺成品率下降,最终导致成本上升。(2)器件性能下降。在制造工艺过程...[全文]
- 后端工艺的主要材料/工艺变化2016/6/15 20:58:02 2016/6/15 20:58:02
- 浅沟道隔离(sTI)的潜在优势(如更好的平面性、抗闩锁能力、低结电容和几乎为零的场侵蚀)使其能够在器件缩小到1OOnm尺寸以下时使用。sTI工艺很复杂,需要对每个步骤进行仔细的工艺集成。沟道填充...[全文]
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