- 烙铁头的选用2016/8/25 20:15:06 2016/8/25 20:15:06
- 为了适应不同焊接物面的需要,通常把烙铁头制成各种不同的形状,同时也要有一定的体积,以保持一定的温度。G1428F31U一般说来,瓦数大的烙铁,烙铁头的体积也大。烙铁头的形状、体积及长度,都对烙铁...[全文]
- 螺栓连接2016/8/23 20:32:00 2016/8/23 20:32:00
- 所谓的螺栓连接就是用螺栓贯穿两个或多个被连接件,保证螺栓的中心轴线与被连接件端面垂直,G6KU-2F-Y-TRDC45在螺纹端拧上螺母,紧固螺母时,一般应垫平垫圈和弹簧垫圈,拧紧程度以弹...[全文]
- 石英晶体元件的结构及性能2016/8/20 16:36:32 2016/8/20 16:36:32
- l)石英晶体元件的结构及性能石英晶体元件一般由石英晶片、r艮片支架和封装外壳等构成。晶片支架的作用为同定品片及引出电趿,ENGSAMPRFMS1晶片支架可分为烬线式和夹紧式两种。石...[全文]
- 表面组装集成电路2016/8/20 16:31:00 2016/8/20 16:31:00
- 表面组装集成电路包括各种数字电路和模拟电路的SSI~ULSI集成器件。常用的DSPB56367AG150封装有如下。(1)小型封装sO(Small>如图34ll所示。...[全文]
- 场效应管2016/8/19 22:10:47 2016/8/19 22:10:47
- 场效应管是一种电压控制型半导体器件。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定ADM9240ARU性好、功耗小、抗辐射能力强和便于集成等优点,但容易被静电击穿。1.场效应管的分类...[全文]
- 三极管的选用2016/8/19 22:08:37 2016/8/19 22:08:37
- 晶体管的正常工作需要一定条件,超过条件允许范围则可能是晶体管不能正常工作,ADM706SAR甚至会遭到永久性损坏。因而,选用时应考虑以下各因素。(1)选用的晶体管,切勿使工作时的电...[全文]
- 功率晶体管及集成电路芯片的散热2016/8/15 22:24:54 2016/8/15 22:24:54
- 在电子产品中使用的晶体管和集成电路,由于流过集电极PN结的电流产生热量,必须MLF1005DR33KT采取有效的方法将这些热量散发出去,否则晶体管与集成电路的工作性能会变坏,严重时还会烧坏。因此...[全文]
- 实测sMT封装LED光源的发光面特性2016/8/12 21:24:38 2016/8/12 21:24:38
- 芯片本身具有尺度残,由于荧光粉层的散射作用,实际的发光面将扩展至尺度硪。同AFB0412SHB-SP04时由于支架反射面对大角度光的反射作用,使得光源的等效发光面更为复杂。图⒎14为实际的器件发...[全文]
- 光刻电极之后应腐蚀去除GaAs层2016/8/9 21:10:49 2016/8/9 21:10:49
- >有腐蚀选择比。BBR43-24KB533盐酸溶液去除GaInP后,GaAs欧姆层上淀积光刻N型电极。因GaAs对光有很高的吸收率,光刻电极之后应腐蚀去除GaAs层。表面粗化:在n...[全文]
- 金字塔结构顶部和凹坑的底部因刻蚀时间的不同2016/8/9 20:46:01 2016/8/9 20:46:01
- 金字塔状(pyrami止血apc)以及凹坑(rcccss)。金字塔状与凹坑结构形貌在制作上的唯一不同就是掩蔽层图形互反,前者掩蔽图形为圆柱,后者为圆孔。B4B-PH-K-S金字塔结构顶部和凹坑的...[全文]
- 横向蚀刻速率2016/8/8 20:30:21 2016/8/8 20:30:21
- 还有研究者将LED侧壁湿法腐蚀后得到粗化的效果提高了光提取效率。C,F.un等人u钊用汞灯和KoH溶液对InGaN/GaNMQWLED进行光电化学湿法蚀刻,FM24C128在少GaN和⒈GaN的...[全文]
- Au的内扩散,造成正反向特性变差2016/8/7 18:28:24 2016/8/7 18:28:24
- 升高退火温度(>700℃),可以观测到明显的漏电流,使得LED反向特性变差,原因EP1C3TC144-8在于Au(甚至Ni)在高温下扩散到LED的有源区,尤其是在GaN材料中有位错的区域更...[全文]
- 倒装芯片的实质是在传统正装工艺的基础上2016/8/5 20:30:02 2016/8/5 20:30:02
- 倒装芯片的实质是在传统正装工艺的基础上,将芯片的出光区与电极区不设计在同一个平面,此时电极区面朝向封装灯杯底部进行贴装,JCY0200出光区为蓝宝石衬底面,如果对于薄膜倒装芯片,则出光面为ll-...[全文]
- 对设备的检验通常也叫点检2016/8/4 22:37:12 2016/8/4 22:37:12
- 对产线工艺稳定的检验包含光电参数方面和外观等方面。检验的方式是借助一些辅助生产的检测设备和工具,MMA1210EG运用统计过程控制(statisticalPI・ocessContr...[全文]
- 除了采用组分均匀单一的AlC1aN层2016/8/1 22:07:05 2016/8/1 22:07:05
- 基于以上因素,越来越多的人们开始对p-AlGaNEBL提出了不同看法D习。他们认为,p-Al⒍NEBL的插入,虽然在一定程度上增大了电子势垒,但随着A1组分的增大,AlGaN电子阻挡层和最后一个...[全文]
- 具有dcka~AlGaN插入层的量子阱能带结构2016/8/1 21:18:32 2016/8/1 21:18:32
- JollgwoonParkll叨等人采用在hGaN量子阱中嵌入一层较薄的delta-AlGaN层的方法生长了不规则量子阱,实现了载流子分布的调整,其结构如图⒉20所示。L6561D013TR另外...[全文]
- 平衡pn结能带结构2016/7/31 16:44:56 2016/7/31 16:44:56
- 在同质pn结中,p型半导体和n型半导体材料相同,在界面AH177处导带边和价带边连续,p型半导体杂质浓度为ⅣA,n型半导体杂质浓度为ⅣD,p型半导体费米能级EFp低于n型半导体费米能级EFn,如...[全文]
- 纤锌矿结构GaN的晶体结构2016/7/31 16:27:49 2016/7/31 16:27:49
- GaN基单晶薄膜的晶体结构主要受衬底材料和衬底表面对称性的影响。ADV7180外延在c面蓝宝石、(111)si、(1l1)GaAs、(0001)6H-sC和(0001)zn0等衬底上的GaN薄膜...[全文]
- 透射电镜截面和平面样品制备的流程2016/7/31 16:21:28 2016/7/31 16:21:28
- 此外还有二级真空泵来对样品室抽真空、照相装置用以记录影像。ADS7843E观察研究薄膜的微观结构,对TEM样品的质量要求很高,因此透射电镜制样对于电镜工作者来说就显得非常的重要。为全面研究薄膜结...[全文]
- 模拟信号电路仿真中可以使用的信号源2016/7/30 12:09:06 2016/7/30 12:09:06
- 对电路进行模拟分析时输入端ASDX005D44R可以施加的激励信号源包括下述几种。模拟信号电路仿真中可以使用的信号源(1)直流电流／电压源。(2)用于交...[全文]
热门点击
公网安备44030402000607
