在PECVD系统中,以氩气(Ar)作为携载气体通过siH4、02、N2和PH3之间的反应完成PsG的沉积。 AD7892BNZ-1一般认为,这种情况下沉积的薄膜比APCVD沉积的薄膜有更好的台阶覆盖、不易破碎而且没有真空间隙。PSG中磷的含量与sH。/PH3比、沉积温度以及N20/(siH4+PH3)比有关。

   PsG的主要优点:PSG比UsG有更好的抗划伤能力,能够吸附可能损坏管芯的Na杂质,有比UsG更低的压应力。磷杂质的加入将降低S⒑2膜的熔点(回流)温度。

   加磷(PSG)存在的问题:增加了Al侵蚀的风险,磷扩散到圆片的其他区域,比UsG更糟的沉积均匀性、台阶覆盖能力略差和更高的腐蚀速率(WER、DER)。用作钝化层及层间绝缘的PsG,磷含量不应超过8%,最佳含量为4%。含磷量过高,PsG会发生极化,引起表面漏电,影响器件的稳定性;磷与水汽反应生成偏磷酸,腐蚀Al;力口速器件失效;膜的黏附性变坏,易脱胶等。含磷量过低时,会降低PsG对Na+的提取、固定和阻挡作用,PsG的本征张应力大,热处理时易龟裂等。