集成电路从诞生到现在已经过了50多年的发展时间,在这50多年的时间里,IXGH20N120技术的发展取得了巨大的进步。19⒛年至2008年之间,sRAM单元的面积从170Oum2缩小到32nm sRAM单元的0,171um2,数以亿计的晶体管集成在一个芯片上,半导体集成电路也由早期的单元集成发展到子系统、系统集成。

   第二个阶段:20世纪80年代,自对准多晶硅栅互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOs)工艺得到应用。由于采用了自对准工艺,导致寄生电容非常小,并且改善了器件的可靠性。随着工艺和设计复杂度的日益增加,工艺与设计逐步分离,Foundry线(标准工艺加工线)公司与IC设计公司开始崛起。1980年,美国加州理工学院的Mead和Conway出版了《In“oduction to VLsI system》一书。书中提

   出了以“λ设计规则”和“等比例缩小”定律为主要内容的IC设计与工艺制作相对独立的思想。此外,这一时期IC CAD技术也发展到一个新的阶段,能为设计提供方便的原理图编辑、仿真验证和版图自动布局布线等功能。

   市场对专用集成电路的需求,带动了标准工艺加工线(Foulldry)的发展,形成了无生产线℃设计公司与标准工艺加工线相结合的集成电路产业协同发展局面。第三阶段:1989年以后,集成电路工艺的主要特点为采用全自对准金属硅化物栅、源及漏极,并且采用侧墙自对准工艺形成轻掺杂漏区。自对准硅化物工艺已经成为大规模超高速CMOS逻辑集成电路的关键制造工艺之一。它给高性能逻辑器件的制造提供了诸多好处。该工艺同时减小了源/漏电极和栅电极的薄膜电阻,降低了接触电阻,并缩短了与栅相关的RC延迟。