- sⅢcide、 salicide和Po丨ycide J留词解释2016/6/14 21:12:04 2016/6/14 21:12:04
- 首先,这三个名词对应的应用应该是一样的,都是利用硅化物来降低Poly上的连接电阻。EL5423CLZ但生成的工艺是不一样的。silicidc是指金属硅化物,是由金属和硅经过物理一化学反应形成的一...[全文]
- 镍硅化物整合的另一个挑战是接触面漏电流的增大2016/6/14 21:10:54 2016/6/14 21:10:54
- 虽然镍硅化物对比之前的硅化物具有很多优点,但是它对制程的控制和整合也提出了更高的要求。EL5421CY镍硅化物随着温度的升高具有不同的化学组成。低温时首先形成的是高阻Ni2Si,随着温度的升高,...[全文]
- 会使膜的电阻率增大,使Al氧化发雾2016/6/13 21:49:31 2016/6/13 21:49:31
- 生产过程中会产生o2、N2及H2等残余气体,残余气体对膜的影响如下:HCF4052M013TR(1)o,:会使膜的电阻率增大,使Al氧化发雾;(2)N2:引起应力,产...[全文]
- 离子注入后的退火2016/6/12 21:55:59 2016/6/12 21:55:59
- 注入离子所造成的晶格损伤,对材料的电学性质将产生重要的影响。例如由A3245EUA于散射中心的增加,使载流子迁移率下降;缺陷中心的增加,会使非平衡少数载流子的寿命减少,PN结的漏电流也因此而增大...[全文]
- PsG的主要优点2016/6/11 17:38:58 2016/6/11 17:38:58
- 在PECVD系统中,以氩气(Ar)作为携载气体通过siH4、02、N2和PH3之间的反应完成PsG的沉积。AD7892BNZ-1一般认为,这种情况下沉积的薄膜比APCVD沉积的薄膜有更好的台阶覆...[全文]
- 可根据需要选择不同方法沉积氮化硅薄膜2016/6/11 17:33:33 2016/6/11 17:33:33
- 可根据需要选择不同方法沉积氮化硅薄膜。当作为选择氧化的掩蔽膜或者作为DRAM中电容的介质层时,AD7892ARZ-3REEL7由于考虑到薄膜的均匀性和工艺成本,氮化硅通常是在中温(⒛0~8oo℃...[全文]
- sio2的性质2016/6/10 17:39:06 2016/6/10 17:39:06
- 电阻率:可高达1015~1016Ω・cm;sio禁带宽度相当宽,约0.%V,因此是比较理想的绝缘体。介电强度和介电常数:物质的SFB0212HH-F00介电强度与薄膜...[全文]
- 集成电路可靠性面临的挑战 2016/6/9 22:50:17 2016/6/9 22:50:17
- 20世纪90年代以来,半导体集成电路技术得到了快速发展,特征尺寸不断缩小,集成度和性能不断提高。ADM1026JST-REEL为了减小成本,提高性能,集成电路技术中引入大量新材料、新工艺和新的器...[全文]
- 存储数据丢失2016/6/9 22:45:37 2016/6/9 22:45:37
- 存储数据丢失。ADG452BN存储数据丢失是指在外界因素作用下产生的电路误动作,使动态存储器存储电荷丢失、静态随机存储器(RAM)的存储单元翻转、动态逻辑电路信息丢失的现象,与器件本身的...[全文]
- 电路漏电2016/6/9 22:44:13 2016/6/9 22:44:13
- 电路漏电。电路漏ADF7020BCPZ电是指器件中本应绝缘或小电流的位置产生了大得多的电流,电流的大小与器件中的受损部位有关。多层金属布线中,两层布线间有氧化层针孔以及因第一层金属...[全文]
- 目视管理透明度高2016/6/7 20:27:40 2016/6/7 20:27:40
- 目视管理透明度高,便于现场人员互相监督和促进,发挥激励和协调作用。实行目ADC081S051CISDXADC视管理,对生产作业的各种要求可以做到公开化。干什么、怎样干、干多少、什么时间干、在何处...[全文]
- 对人、物结合的状态进行分析2016/6/7 20:21:24 2016/6/7 20:21:24
- 人、物结合状态分析是开展定置管理中最关键的一个环节。在生产过程中必不可少的是人与物,只有人与物的结合才能进行工作。ADC081S021CISDX而工作效果如何,则需要根据人与物的结合状态来定。人...[全文]
- 材料的管理2016/6/6 20:47:49 2016/6/6 20:47:49
- 材料是制造过程中最根本和基础的构成要素,其质量的好坏和是否满足要求,直接影响最终产品的质量。AD9224ARSZ在现代电子装联中,材料同样是个广义的概念,它既包括元器件、PCB这类加工材料,也...[全文]
- 进行详细设计并制定技术指标2016/6/6 20:43:54 2016/6/6 20:43:54
- 进行详细设计并制定技术指标。确定设备的详细技术指标。进行性能认证。进行关AD822AR键设备特性的认证。认证的方式可要求供应商提供详细测试方法和结论,或使用样机实验,或到其他单位进...[全文]
- 电子装朕质量因素的控制 2016/6/5 18:34:55 2016/6/5 18:34:55
- 现代电子装联是根据电路设计要求,将多个元器件安装在印制电路板等电路基板上,从N010-0550-T621而形成板卡级的电路模块或功能组件的过程。它是以表面组装技术为主,又包含部分通孔插装技术的制...[全文]
- 电子装朕质量管理的内容 2016/6/5 18:19:35 2016/6/5 18:19:35
- 现代电子装联质量就是根据现代质量管理理念和方法,围绕其质量目标所开展的各种质量活动。NJM79L05UA-TE1现代电子装联质量管理从体系层面上遵循现代质量管理模式,以质量方针和目标为纲,通过对...[全文]
- 悍点可靠性测试方法2016/6/5 18:00:20 2016/6/5 18:00:20
- 焊点可靠性测试方法:温度循环、NJM022BM温度冲击、高温老化、机械跌落四点弯曲。温度循环典型温度循环曲线如图11.9所示。用于评估...[全文]
- X-Ray检查2016/6/5 17:54:18 2016/6/5 17:54:18
- X-Ray检查如图11.6所示。①X-Ra~y检查的目的:检查焊点内部缺陷、检查导NJU6322KE通孔内部缺陷、对密集封装BGA/CsP缺陷焊点定位、对PCB缺陷进行检查。...[全文]
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