难熔金属(Mo、W、△-W、△-N)有玻璃钝化,5×1JA/cm2;金导体中最大允许的NDP4060电流密度是6×105A/cm2流密度是1×1yA/cm2;其他金属导体中最大允许的电流密度是2×105A/cm2。

   电流密度应根据器件结构,在最大电流密度点计算。这一电流值应在推荐的最高电源电压,并且假定电流均匀通过导体横截面的情况下确定。根据生产规范和控制要求,考虑包括金属化台阶处适用的允许误差,采用最小允许金属厚度。如果最大电流密度不在台阶处,可不考虑金属化台阶处的减薄效应。阻挡层金属和非导电材料面积不应包括在导体横截面的计算中。

   可靠性试验的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方和进行工艺的一致性检测。通过工艺优化和设计改进,以生产出可靠性好的产品,提高产品的成品率,同时使生产厂家创立好的质量体系。图11.1所示是可靠性试验的流程。

   可靠性试验芯片应按照微电子器件试验方法标准GJB548B―⒛05中的方法⒛10.11内目检(单片电路)进行镜检,并且芯片上不可有水珠、液滴或水渍残留。Pad上不能有异物附着,在40倍的目镜下,Pad上的金属互连线没有腐蚀现象。除Pad开窗外,芯片上的保护层不能有破损现象。可靠性试验芯片应按照合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范GJB弘OO―2011中的5.1包装要求进行包装。包装应能保证在运输和操作过程中保护芯片免受机械损伤和静电放电损伤,而且包装材料和结构不能对芯片有害。