天线效应的设计规则是指允许的金属面积和栅介质的面积之比,该比例由每层金属各自确定。HCPL-2630-000E设计规则中定义的面积为所有连接到栅且没有连接到扩散区的总面积。如果工艺支持不同的栅氧,如厚栅氧和薄栅氧,则每种栅氧都有各自不同的规则。对于0,18um cMOS工艺,当不采用二极管消除刻蚀工艺产生的电荷时,和多晶相连的金属面积应在所接栅面积的400倍以下。而当栅极与大块的多晶相连时,多晶的面积应在所接栅面积的2O0倍以下。

   栅氧漏电,尽管对功耗不利,但对天线效应是有利的。栅氧漏电可以防止电荷积累达到击穿。和较厚的栅介质相比,薄的栅介质较不易发生损坏。因为当栅氧变薄,漏电是呈指数上升的,而击穿电压是线性下降的。