- TMAH单晶硅腐蚀特性研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 邓俊泳1，冯勇建2（1.厦门大学机电工程系，福建 厦门 361005；2.厦门大学萨本栋微机电研究中心，福建 厦门 361005）摘要：tmah是一种具有优良的腐蚀性能的各向...[全文]
- SF6/O2/CHF3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 1.华中科技大学a.光电子工程系; b.激光技术国家重点实验室，武汉，430074; 2.中国电子科技集团第44研究所，重庆 400060）摘 要：采用统计实验方法研究了利用...[全文]
- Bi3.25 La0.75 Ti3O12薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王晓光, 林殷茵, 汤庭鳌（复旦大学微电子学系 asic和系统实验室，上海 200433）摘要：采用新颖的化学溶液淀积方法，配制出可长时间稳定的先体溶液，采用红外分析和热分析...[全文]
- Al-Si合金RIE参数选择2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 李希有，周 卫，张 伟，仲 涛，刘志弘（清华大学微电子学研究所，北京 100084）摘要：采用正交试验法对二手rie刻al设备a-360进行工艺参数选择试验，并以均匀性、刻蚀...[全文]
- SiGe HBT 发射极台面湿法腐蚀技术研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 熊小义，刘志农，张伟，付玉霞，黄文韬，刘志弘，陈长春，窦维治，线佩信（清华大学微电子学研究所，北京 100084）摘要：在sige hbt的制造工艺中，为了防止干法刻蚀发射极...[全文]
- 自动化蚀刻控制下的可重复性2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 赵水林，葛晓景（上海先进半导体制造有限公司，fsi international 上海 200233）摘要：以氟化氢为基础的溶液被广泛地用在扩散前清洗工艺中的二氧化硅清洗与蚀刻...[全文]
- 共晶烧结技术的实验研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄 050051)摘 要：随着微波混合集成电路向着高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的发展，对芯片焊接工艺提出了越来越高的要...[全文]
- 重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 张红娣，刘彩池(河北工业大学半导体材料研究所，天津 300130)摘要：对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述，对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨同时就热处理，掺杂剂...[全文]
- 啼镐汞表面氧化特性的光电子能谱研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 李毅何篙易新建 (昆明物理研究所昆明650223)摘要利用x射线光电子谱(xps)对hgcdte表面...[全文]
- DPN MOS 绝缘栅氮处理技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 黄英，许志，kim sung lak, zhao richard，利定东（应用材料中国公司，上海 201203）摘要：分析了90nm及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性...[全文]
- 我国首次合成纳米级金刚石晶体薄膜2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 近日，香港城市大学国际首家"超金刚石及先进膜研究中心"检测发现：深圳市雷地科技实业有限公司在常温下生产的金刚石膜是国际上首次发现的纳米级金刚石材料，这是我国新材料领域的...[全文]
- 微尺度热传导理论及金属薄膜的短脉冲激光加热2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王秋军，徐红玉，宋亚勤，张元冲（西安交通大学机械结构强度与振动国家重点实验室，陕西 西安 710049）摘要：概述了微尺度热传导理论的几种模型及其求解方法。以金属薄膜的短脉冲...[全文]
- WSix复合栅薄膜工艺开发2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘 要：本文对cvd wsix制造设备及工艺进行了详细的描述，以大量的实验数据为依据，开发出适合本科研生产线ws...[全文]
- MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 孙志国，许志，利定东（应用材料中国有限公司, 上海 201203）摘要：在大规模集成电路的制造过程中，mocvd tin因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作w和al材料的...[全文]
- 氟气─清洗化学气相沉积反应器腔室的创新方式2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 陈佳明（boc爱德华先进科技 (股份) 公司） 摘要：对于将氟气应用在化学气相沉积器清洗的应用而言，其安全性、稳定性、纯度和价格，在应用上是一个新的挑战。对一般气相沉积反应器...[全文]
- 电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （武汉理工大学 材料科学与工程学院， 武汉 430070）摘 要：采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法（ebed）制备了zno:al（zao）透明导电薄膜。用正交试验法设计试验，...[全文]
- GE氮化硼填料为电子设备提供卓越导热性能2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 随着电子设备体积越小、速度越快，生产厂商面临着半导体散热的巨大挑战。半导体温度过高会降低电脑和其他电子设备的性能。ge高新材料集团开发出的polarth...[全文]
- 全自动平板涂胶机的研制及应用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 摘 要：介绍了全自动平板涂胶机的原理、主要性能、技术指标及设计中所采用的几项关键技术和工艺运用情况。基片涂胶工艺是平板显示器生产中不可缺少的关键工续，胶膜厚度精度及均匀性直接...[全文]
- 新型硅芯晶体炉的开发与设计2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (1.西安理工大学晶体生长设备研究所，陕西 西安 710048：2．西安理工大学机仪学院，陕西 西安 710048)摘 要：从分析硅芯晶体生长的工艺特点出发，简要介绍了硅芯晶...[全文]
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