GE氮化硼填料为电子设备提供卓越导热性能

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:317

随着电子设备体积越小、速度越快，生产厂商面临着半导体散热的巨大挑战。半导体温度过高会降低电脑和其他电子设备的性能。ge高新材料集团开发出的polartherm* xlr氮化硼填料用于克服这一难题。ge的polartherm xlr材料是球形的氮化硼晶体团块。在被装入聚合体之后，其导热性能最高可达其他氮化硼填料的两倍。

ge的polartherm xlr球形氮化硼填料与普通的氮化硼不同之处在于其团块十分牢固，各向同性。这样一来填料受加工的影响就小，颗粒破损较少，这样来自半导体这类热源的热量就能通过均匀的导热路径被传导致散热器。导热材料厂商因此能够极大地降低产品的热阻，从而为要求苛刻的电子应用提供先进的解决方案。

polartherm xlr球形氮化硼仍然保持了氮化硼的优异性能，如离子杂质少，电介质强度高，以及膨胀和模量的低系数带来的对敏感器件的应力低，因此得以在关键应用中加以使用，如直接磨具接触等。同时氮化硼的润滑性得以保持，可以方便地混合或进行别的加工。ge的polartherm xlr球形氮化硼密度较低，因此相比其他填料如铝或银可以以较低的填充水平达到同样的导热性能。

ge目前提供两个等级的polartherm xlr球形氮化硼。ptx25级产品平均颗粒大小25微米，ptx60级产品平均颗粒大小60微米。两个等级的材料都致力于提供最佳的导热性能。

ge高新材料集团电子材料业务产业经理greg strosaker说：“ge新一代的polartherm xlr各向同性的填料解决了芯片厂商面临的一个最大的挑战——如何解决越来越小、越来越快的半导体的散热问题。ge的polartherm 材料提供优异散热性能和高粒子强度，使半导体产业获得了更大的设计灵活性和竞争优势。”

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