- SiC单晶生长2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- sic单晶生长growth of bulk sic刘U啞� 徐现刚 摘 要：本文综述了国际上sic单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存...[全文]
- 2012年半导体产业将进入18英寸硅圆时代2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 担任世界半导体技术发展进程会议主席的美国英特尔公司首席技术官paolo gargini先生日前称，2012年前全球半导体业将迈入18英寸（450毫米）硅圆片时代。世界半...[全文]
- 低温共烧陶瓷——一种理想的微波材料2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 李 泊1, 潘凤娥2 1. 河北半导体研究所, 河北 石家庄 050051；2. 青岛远洋船员学院机电系， 山东 青岛 266071 )摘要：重点介绍了目前ltcc技术状态，...[全文]
- 纳米金属材料：进展和挑战2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 1引言40多年以前，科学家们就认识到实际材料中的无序结构是不容忽视的。许多新发现的物理效应，诸如某些相转变、量子尺寸效应和有关的传输现象等，只出现在含有缺陷的有序固体中。事实...[全文]
- p型GaN欧姆接触的研究进展2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 潘群峰，刘宝林（厦门大学物理系，福建 厦门 361005）摘要：宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一，近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan...[全文]
- 纳米气体敏感材料的喷射共沉淀法制备及特性2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- １引言把传统材料的尺度控制在纳米级，材料就会显现一些特殊的性能。ｉｇｏｒ ｋｏｓａｃｋｉ等制备了５％钇掺杂的ｓｒｃｅｏ３，粒子尺寸在７０ ｎｍ以下，对ｈ２有较高的灵敏度和非常...[全文]
- 纳米金属氧化物空心球的制备(续)2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 杨晓辉，宋秀芹，张雪红(河北师范大学化学学院，河北石家庄 050016)4反应机理 综合一系列的研究和文献报道[27]在空心球制备过程中，核-壳粒子的形成机理主要有以下三种。...[全文]
- 铜钼化合物氢还原制备铜钼复合粉研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 李在元，翟玉春，田彦文，王天然（东北大学材料与冶金学院，辽宁 沈阳 110004）１引言铜钼复合粉是制备铜钼复合材料的原料，其粒度大小、洁净程度、混合均匀程度等直接影响铜钼复...[全文]
- 稀土La自组装纳米膜的制备及表征2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （1、北京交通大学机电工程学院，北京100044；2、英特尔（上海）产品有限公司（epae），上海200336）摘 要：电子封装表面材料采用分子自组装技术制备了稀土la纳米膜...[全文]
- 纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 梁迎新，王太宏（中国科学院物理研究所，北京100080）１引言自２０世纪６０年代以来，集成电路一直按照摩尔定律不断更新换代，即单个芯片中集成的晶体管数目每１８个月翻一番。随着...[全文]
- 纳米技术、材料的 未来发展趋势2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 从科技发展史来看，新技术的发展往往需要新材料的支持。如果没有１９７０年制成的使光强度几乎不衰减的光导纤维，可能不会有现代的光通信；如果没有高纯度大直径的硅单晶，很难想...[全文]
- 溅射法制备纳米薄膜材料及进展2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 贾 嘉（中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083）摘要：溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点，成为获得高性能纳米材料的重要手段。本文介绍了离子束溅...[全文]
- PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 陈蒲生1，陈闽捷2 ，张昊31.华南理工大学应用物理系, 广东 广州 510640；2.华南理工大学机电工程系，广东 广州 510640；3.中电科集团电子第五研究所， 广东...[全文]
- 用纳米粉制备厚膜敏感陶瓷材料2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王梦魁1，王志凡1，刘文磊2（1.锦州师范学院物理系，辽宁 锦州 121003;2.丹东国通电子元件有限公司，辽宁 丹东 118002）１ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｗｉｔｈ ｔ...[全文]
- CdS纳米粒子的合成方法2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 廖学红，杨水彬，陈年友（黄冈师范学院化学系，湖北 黄州 438000）摘要：在十二烷基硫酸的水溶液中，以cd(no3)2和taa为源材料，通过微波辐射加热合成了立方晶相cds...[全文]
- 日本纳米科技相关专利分析2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 杨邦朝，韩莉坤，陈金菊（电子科技大学微电子与固体电子学院，四川 成都 210065）摘要：通过分析1993～2000年日本纳米科技相关专利的数目、专利的领域以及企业申请专利的...[全文]
- 颗粒碰撞失效分析2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 朱卫良 宫建华 陆 坚(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘 要：本文讲述了颗粒碰撞失效的分析方法。找出了引起失效原因的可动颗粒。关键词：颗粒碰撞；...[全文]
- 激光定域晶化技术制备纳米硅的研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 朱乐仪，黄信凡，王 立，王晓伟，马忠元，李 伟，陈坤基(南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，江苏南京 210093)摘要：利用相移光栅模板使krf准分子激光形成强度...[全文]
- 纳米科技路迢迢目前全球各国仍处研发阶段2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 2003年12月美国总统布希签署联邦研发法，未来4年将投入37亿美金在纳米科技研发。其实从2000年美国总统克林顿(clinton)宣布『国家纳米计划』(national n...[全文]
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