- 钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王光伟，茹国平，屈新萍，李炳宗 (复旦大学微电子学系，上海 200433)摘要：采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜，通过热扩散进行磷掺杂，制备弱n型的多晶锗硅薄膜。用x射线衍射表...[全文]
- 电子专用设备企业发展势头强劲2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 中国电子专用设备工业协会秘书长 金存忠 02-8-17 16:02:32 《国际电子设备》2001年，世界经济衰退，全球信息产业持续低迷，但是在我国继续执行扩大内需、采取积极...[全文]
- 21世纪的硅微电子学2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 作者简介 王阳元，1935年生，微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授。中国科学院院士。 摘 要 本文展望了21世纪微电子技术的发...[全文]
- 我国人工晶体生长设备的发展与展望2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 西安理工大学 李留臣 薛抗美 扬润 02-8-19 10:14:56 《国际电子设备》摘要：本文回顾了我国人工晶体生长设备的发展历史，展望了人工晶体生长设备的发展前景。关键词...[全文]
- UV固化工艺及设备2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 1 概述随着芯片尺寸的缩小(如分立器件)、圆片减薄厚度的进一步变薄(圆片背面粗糙度也更低)以及硬质材料(如石英、陶瓷)采用薄型树脂刀片切割，若划片仍采用国内半导体常用的低粘度...[全文]
- 0．2-1μm IC生产线中二手Stepper解决方案2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (上海微高精密机械工程有限公司，上海 201203)摘 要：通过对国内ic生产线及其stepper装备的现状、市场前景的分析，阐述了国内0．2-1μmic生产线中二手step...[全文]
- 浅谈两种新型干燥炉传动系统的设计特点2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 翟弘鹏 陆峰 02-8-17 17:00:43 摘要：本文简述了hgl—650型和hgl—550型干燥炉传动系统的设计特点，并针对干燥炉传动中出现的常见问题进行相关的分析和阐...[全文]
- GE材料为电子设备提供卓越导热性能2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 随着电子设备体积越小、速度越快，生产厂商面临着半导体散热的巨大挑战。半导体温度过高会降低电脑和其他电子设备的性能。ge高新材料集团开发出的polarth...[全文]
- 光刻机的匹配和调整2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 周虎明 韩隽(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘要：光刻机的匹配使用是半导体工艺大生产线上提高生产效率的一项重要措施。光刻机的匹配主要包括场镜误差...[全文]
- T46X型硒镓银单晶炉的研制2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (西安理工大学，陕西西安 710048)摘 要：介绍了tdr-46x型单晶炉的设计思路及工作原理，结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。关键词：单晶炉； 结构；...[全文]
- 扩散炉现状与展望2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 北京七星华创微电子设备分公司扩散所所长 程朝阳 02-8-17 17:44:56一、 概述进入21世纪，电子信息产业的持续高速发展激励和带动了集成电路产业的发展，这就为微电子...[全文]
- 电子陶瓷新材料在手机上新用处2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 近日，记者从黑龙江科技学院获悉，该学院材料科学与工程系主任张迎春教授申报的“ab2o6型化合物晶体结构与微波介电性能关系研究”课题日前获得了国家自然基金30万元资助。据了...[全文]
- “开发45nm以后LSI工艺材料”JSR建成新无尘操作厂房2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 日本jsr现已在该公司位于三重县四日市的研究所内建成新的无尘操作厂房。将用来开发45nm工艺lsi在生产过程中使用的曝光用抗蚀剂材料，以及大尺寸液晶面板采用的元件与材料。 ...[全文]
- 热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 刘少波1，李艳秋1，刘梅冬2（1.中国科学院电工研究所微纳加工部，北京 100080;2.华中科技大学电子科学与技术系，湖北 武汉 430074）摘要：采用改进的溶胶-凝胶（...[全文]
- 光辐照对MgB2超导体电子结构的影响2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 本文对mgb2超导体进行不同时间的激光照射，并利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究，根据正电子寿命谱参数的变化情况，利用光致电荷转移模型对光辐照后的mgb2超导体样品的电子...[全文]
- 半导体材料概述2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 半导体材料是电子工业的重要基础材料。从五十年代后期开始半导体材料及其工艺设备的研制，是我国半导体和红外材料的主要研究、开发、生产基地，为国家电子信息工业和国防建设做出了重...[全文]
- sic半导体技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- ——即将腾飞的新一代半导体技术 silicon carbide semicondutor technology: ——a new generation of semic...[全文]
- 管式电炉合成氮化镓晶粒的研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 黄萍，薛成山，李秀琴，魏琴琴(山东师范大学物理系，半导体所，山东 济南 250014)摘要：以ga2o3为ga源，氨气(nh3)为n源，通过氮化反应合成了高质量的gan晶粒。...[全文]
- 新型低介电常数材料研究进展2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 黄娆，刘之景（中国科学技术大学近代物理系，安徽 合肥 230026）摘要：在超大规模集成电路中，随着器件集成度的提高和延迟时间的进一步减小，需要应用新型低介电常数（k<...[全文]
- 碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王强，李玉国，石礼伟，孙海波（山东师范大学半导体研究所，山东 济南 250014）摘要：概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法，介绍了其在微电子及光电子领域的应用，...[全文]
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