- 减小系统失配2016/6/28 22:10:59 2016/6/28 22:10:59
- 减小系统失配。系统失配的主要原因可以分为工艺偏差、接触孔的电阻、ADM2587EBRWZ-REEL多晶硅刻蚀速率的变化、扩散区的相互影响和梯度效应。图8。呢所示为两个宽度为2△、长度相同的多晶硅...[全文]
- Ⅵ⒒uoso主要的功能如下2016/6/28 21:34:19 2016/6/28 21:34:19
- Cadcncc公司提供的基于Ⅵ⒒u0∞平台的版图设计工具及其验证工具的强大功能,AD62550在模拟集成电路和数模混合集成电路设计中,是任何其他EDA工具所无法比拟的。Ⅵ⒒uosoLγoutEd...[全文]
- 早期研制的集成电路都是双极型的2016/6/26 20:19:42 2016/6/26 20:19:42
- 这是单片集成电路的雏形,是与现在的硅集成电路直接有关的发明。IXFZ21N60集成电路的发明开创了集有源器件与某些元件于一体的新局面,使传统的电子器件概念发生了质的变化。这种新型的封装好的器件不...[全文]
- 测试线的环境温度2016/6/26 20:14:02 2016/6/26 20:14:02
- 测试线的环境温度。如果采IXFN50N25用加热平台或类似的设备,则环境温度将与室温不同。测试过程中,在环境温度下测试线电阻值,此时在测试线上没有焦耳热产生。电阻的温度系数TCRσ)指测试线电阻...[全文]
- 交流波形的电迁移可靠性评价技术 2016/6/25 23:06:56 2016/6/25 23:06:56
- 电迁移导致的金属互连线失效是集成电路可靠性最关心的问题之一。直流应力DAC10FX下的电迁移失效己经研究了几十年,在集成电路工业界,已经建立了直流应力下的加速试验测试方法和设计规则。但交流应力条...[全文]
- PCM的作用 2016/6/25 23:02:00 2016/6/25 23:02:00
- PCM技术具有准确、方便的DAC08HQ优点,该技术在工艺线上的应用,成为工艺质量保证的重要方法,从技术上来说它具有以下作用:工艺参数提取、进行工艺监测、为sPC控制提供数据,通过PCM测试发现...[全文]
- PCM(Process Control M耐tor,工艺控制监测)技术 2016/6/25 22:55:21 2016/6/25 22:55:21
- 微电子工艺参数是指各种薄层电阻、金属与半导体的接触电阻、连接通孔电阻、DAC08ESZ各种电容、各种单管结构和单元电路等。由于微电子工艺加工过程的复杂性,电路是在硅衬底上通过多次的工艺过程一步一...[全文]
- 影响测试结构的因素2016/6/25 22:40:04 2016/6/25 22:40:04
- 影响测试结构的因素。工艺参DAC08AQ数的监测中用的最多的微电子测试图是用于测量各种掺杂区域薄层电阻的范德堡图形,因其结构是一个正十字,所以又称为正十字图形。正十字的中心部分是测...[全文]
- 指数分布场台的统计分析 2016/6/23 21:58:53 2016/6/23 21:58:53
- 指数分布在可靠性试验及其统计分析中占有重要地位,主要是因为产品经过早期筛选后,ADM1087AKSZ-REEL7其在偶然失效期的失效分布为指数分布;同时,指数分布是最简单的失效分布,其失效率为常...[全文]
- 双极器件2016/6/23 21:31:31 2016/6/23 21:31:31
- 双极器件。双极器ADM1068AST件一般不设置保护网络,在小器件的基极也可加串联电阻或在EB结上反向并接一个二极管,以便形成充电回路。生产与使用环境。要消除一切可能的静电源或使静...[全文]
- 失效模式2016/6/22 21:32:44 2016/6/22 21:32:44
- 失效模式。双极性A387B浅结器件EB结退化,硅一铝反应形成的渗透坑多发生在接触孔四周,这是因为该处溶解的硅可向旁侧扩散,降低了界面处硅的含量,允许硅进一步溶解。另外边缘处⒏o2与硅应力增大了...[全文]
- NBTI效应的氧化层电场指数2016/6/21 22:21:42 2016/6/21 22:21:42
- >围在0.15~0.325cV之间,OF140HC50D并且可以增加一些附加的指数或采用凡±σ凡的分布,当然最终的形式取决于究竟是什么限制了反应动力学和其中参与的物质的不同,可能的反应物包括H2...[全文]
- 改进措施2016/6/20 21:20:02 2016/6/20 21:20:02
- 当氧化层越来越薄时,除了一般观察到的硬击穿(HBD),还有应力导致的漏电流(sILC)、HB5-3/0VP-A软击穿(sBD),对于超薄栅氧化层的TDDB特性,在统计分布中使用第一次击穿作为击穿...[全文]
- 交流Hα效应的定量描述2016/6/20 20:59:28 2016/6/20 20:59:28
- 交流Hα效应的定量描述。直流应HB04U15S15Q力条件下,预测HCI效应的模型是漏极/衬底电流比率模型,该模型认为寿命t取决于衬底电流、漏极饱和电流、加速因子及前置系数。该方程简单实用,但需...[全文]
- 热载流子注入机理2016/6/19 19:15:49 2016/6/19 19:15:49
- 界面陷阱在整个工作区域影响器件的性能,会影响阈值电压、跨导等参数,N沟和P沟MOsFET都要受到热载流子注入效应的影响。热载流子效应包括载流子产生注入和栅氧化层中载流子的俘获等过程。ESD5Z6...[全文]
- 金属层12016/6/19 18:19:47 2016/6/19 18:19:47
- 涂覆低庀介质,接着沉积So2。随后进行EP20K600EFC672-2X金属1的光刻,腐蚀Sio2和低庀介形成金属1填充的凹槽,如图4.24所示。图424金属l凹槽沉...[全文]
- 有源区的形成2016/6/18 20:43:02 2016/6/18 20:43:02
- 首先,在P型硅衬底(St】b蚍atc)/P型外延(Epitaxial)层热氧化生长一层二氧化硅(Sio2),OP2177ARZ-REEL7该层二氧化硅称为衬垫氧化层(Pad>解随后生长的氮化硅(...[全文]
- 半导体制造所使用的水是超纯去离子水2016/6/18 20:30:23 2016/6/18 20:30:23
- 为抑制静电释放,净化间所使用的手推车、工作台、设备等都必须导电,并且OP2177ARM-REEL净化间的人员和物体必须接地,通过这些方式使静电得以释放到地。先进的净化间通过位于净化间天花板内专用...[全文]
- 颗粒在sC 1溶液中的氧化和溶解2016/6/16 21:37:27 2016/6/16 21:37:27
- 如何处理硅片表面的化学物质一直以来是清洗工艺所面临的挑战。一般地OP262HRU-REEL,栅氧化前的清洗用稀释的氢氟酸溶液,并将其作为最后一步化学品的清洗。这叫做HF结尾。HF结尾的表面是憎水...[全文]
- 不同环境的典型级别数2016/6/15 21:14:13 2016/6/15 21:14:13
- 美国联邦标准209E规定空气质量由区域中空气级别数来表示。标准按两种方法设定,CY6116-55DMB一是颗粒大小,二是颗粒密度。区域中空气级别数是指在一立方英尺中所含直径为0.5um或更大的颗...[全文]
公网安备44030402000607
