这是单片集成电路的雏形,是与现在的硅集成电路直接有关的发明。 IXFZ21N60集成电路的发明开创了集有源器件与某些元件于一体的新局面,使传统的电子器件概念发生了质的变化。这种新型的封装好的器件不仅体积和功耗都很小,而且具有独立的电路功能。集成电路的发明使电子学进入微电子学时代,是电子学发展的一次重大飞跃。

   早期研制的集成电路都是双极型的,1960年以后出现了采用MOs(Mcta1_oxidc¨semi¨conduGtor)结构和工艺的集成电路,从此MOs集成电路得到了迅速发展。双极型和MOs集成电路一直处于相互竞争、相互促进、共同发展的状态。但由于MOS集成电路具有功耗低、适合于大规模集成等优点,它在整个集成电路领域占的份额越来越大,现在己成为集成电路领域的主流。虽然双极型集成电路在总份额中占的比例在减小,但它的绝对份额依然在增加,它在一些应用中也不会被MOs集成电路所替代。

   随着电子技术的继续发展,超大规模集成电路应运而生。19臼年出现了大规模集成电路,集成度迅速提高;19″年超大规模集成电路面世,一个硅片中已经可以集成15万个以上的晶体管;1988年,16MB DRAM问世,1cm3大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段;19叨年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25um工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发

展速度让人惊叹。