首先,在P型硅衬底(St】b蚍atc)/P型外延(Epitaxial)层热氧化生长一层二氧化硅(Sio2),OP2177ARZ-REEL7该层二氧化硅称为衬垫氧化层(Pad oxide),其作用是为了缓解随后生长的氮化硅(Si3N4)与硅衬底之间的应力,这是因为Si3N4和硅之间的晶格常数不同,两者之间存在着较大的应力,若si3N4和si直接接触,则易造成硅片破裂。接着再沉积Si3N4。随后涂胶并使用1#光刻版进行曝光和显影,显影后器件隔离区域的光刻胶被去掉。接着腐蚀Si3N4、Sio2和Si,此时未被光刻胶覆盖的区域的si3N4、Sio2和Si均被腐蚀掉,在圆片上形成了硅的浅槽,如图4,3所示。

   图43 sTI腐蚀后器件的剖面图