- 常用伪指令2016/7/12 20:28:58 2016/7/12 20:28:58
- 伪指令是汇编程序能够识别并对汇编过程进行某种控制的汇编命令。它不是EE80C196KC20单片机执行的指令,所以没有对应的可执行目标码,汇编后产生的目标程序中不会再出现伪指令。下面介绍常用的伪指...[全文]
- 无条件转移指令2016/7/11 22:13:12 2016/7/11 22:13:12
- 无条件转移指令是当程序ADM485JRZ执行到该条指令时,不需要任何条件,程序自动转移到该指令所指的目的地址去运行新的程序段。共有4条无条件转移指令。短转移指令AJM...[全文]
- 带借位减法指令2016/7/11 21:56:18 2016/7/11 21:56:18
- 带借位减法指令ADM485ARsUBBA,Rn;(A)fRnJ<CY)→AsUBBA,drcct;(A)-(direct)(CY)→AsUBBA,...[全文]
- 有符号数相加2016/7/10 18:09:24 2016/7/10 18:09:24
- 例如,若A=01110111(刀H或11”,Rl=00010010(12o或18),执行指令ADDA,R1时,其和为10001001←″H或-119)。119+18丬37,而8位二进制补码JCP...[全文]
- 指令的基本格式及常用符号2016/7/10 17:41:34 2016/7/10 17:41:34
- 指令的汇编语言形式JCC5056A是用助记符来表示一条指令,其基本格式为:操作码+操作数操作码表示该指令将要做什么样的操作,操作数是该指令操作的对象,一般是操作所需要的数或所需要的数的存放地址。...[全文]
- BOC51的指令系统2016/7/10 17:36:41 2016/7/10 17:36:41
- 指令是指示计算机执行某种操作的命令,计算机能识别执行的只能是二进制代码,JCC5055A以二进制代码来描述指令功能的语言,称为机器语言。由于机器语言不便于人们识别、记忆、理解和使用,因此便对每条...[全文]
- 时钟电路和时序2016/7/9 21:12:40 2016/7/9 21:12:40
- 时钟电路在sOC51单片机片内有一个ADG411BR高增益的反相放大器,反相放大器的输入端为XTAL1,输出端为XTAL2,由该放大器构成的振荡电路和时钟电路一起构成了单片机的时钟...[全文]
- 引脚信号2016/7/8 21:06:08 2016/7/8 21:06:08
- 80C51系列单片机引脚H7ET-NV1-BH图及逻辑符号,为标准的佃脚DIP封装。这些引脚的功能描述如下:(1)电源引脚Vcc和V§Ⅴcc:电源端,接+5V。...[全文]
- 总线型单片机应用模式2016/7/8 21:02:10 2016/7/8 21:02:10
- (1)总线型单片机的总线应用模式利用单片机的部分引脚,可以方H7ET-NV1便地将单片机配置成典型的三总线结构,如图3.2所示。这种总线型应用在扩展外围器件比较多时接...[全文]
- 可擦除可编程只读存储器EPROM2016/7/6 22:19:06 2016/7/6 22:19:06
- EPROM是国内用得较多的程序存储器。其特点是具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程,用户可反复编程使用,但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。ACPM-5201-LR1这一类芯片特别容易识...[全文]
- 现在主流是几TB的硬盘2016/7/6 22:02:12 2016/7/6 22:02:12
- 在实际应用中,内存(即内存条)又称为主存储器(或主存),容量较大,目前主流为2GB或4GB,但现在由于内存不是很贵,所以8GB的也不少,工作速度比Cachc慢。AC131A1KMLG但目前所用的...[全文]
- 每个存储单元都有各自的地址标记2016/7/6 21:59:52 2016/7/6 21:59:52
- 每个存储单元都有各自的地址标记,CPU可以按地址来访问它的每一单元,所以存AC11245储器必须有自己的地址线来帮助外部器件来访问存储器的单元。1位地址线可以区分2个单元,不难推出刀根地址线可以...[全文]
- 基于AT90s8515的频率测量系统的设计2016/7/6 21:41:36 2016/7/6 21:41:36
- 基于AT90s8515的频率测量系统的设计。利用555定时器设计一个频率发生电路;利用AT89s51单AAT60027B-S2-T片机进行频率测量;利用数码管将频率测量值进行显示。...[全文]
- 总线连线和总线标签2016/7/6 21:39:06 2016/7/6 21:39:06
- 画总线时,为了和一般的导线区分,一般喜欢画斜线来表示分支线,此时需要自己决定走线路径,AAT4626IAS-1-T1只需在想要拐点处单击即可。单击绘图工具栏中的导线标签按钮鹦,使之...[全文]
- uvision4的调试用户界面2016/7/5 22:20:58 2016/7/5 22:20:58
- 选择菜单命令Dcbug→Run(F5键),全速运行程序,P1显示控制窗口应该可以看到一个“V”循环移动,通过观察P1窗口的状态(“V”表示位状态输出为高电平,EC3567A1为空白表示输出为低电...[全文]
- 仿真调试2016/7/5 21:10:59 2016/7/5 21:10:59
- 在仿真调试前,一般要EC3503先设置调试属性,在“optiOnsforTargct‘Targctr”对话框中,单击“Dcbug”选项卡,如图1.14所示,勾选左边的“UscSimulator”...[全文]
- 导致器件的损伤主要是位于漏端附近的栅氧化层中2016/7/2 18:55:16 2016/7/2 18:55:16
- 导致器件的损伤主要是位于漏端附近的栅氧化层中。这里用模拟的方法验证了在中栅AD8058AR热载流子应力条件下深亚微米NMOS器件性能退化主要是由于界面态产生导致的,指...[全文]
- 缘层中的电荷对MOs电容⒍y特性的影响2016/7/1 22:07:30 2016/7/1 22:07:30
- (1)钠、钾、氢等可动离子在一定温度下,受到电场作用可在膜层中移动,从CAP004DG而使在表面感应出的电荷发生变化,结果使表面电势和MOs结构⒍/特性发生变化。可动离子电荷对⒍/特性的影响表现...[全文]
- P型Si衬底MOs结构的C/特性2016/6/30 21:54:15 2016/6/30 21:54:15
- 当栅电压吒s)0且使表面空间电荷层处于耗尽状态时,耗尽层电容q与膜层电容咣x串联使MOS结构总M0334SJ120电容进一步下降。且K越大,耗尽层宽度越大;表面空间电荷层电容α越小,串联电容C就...[全文]
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- 汇编结束伪指令END
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