- 电容器的质量判别2016/8/19 21:25:38 2016/8/19 21:25:38
- (1)对于容量大于51OOpF的电容器,可用万用表R×10k、R×1k挡测景电容器的两引脚。正常情况下,表针先向电阻值为零的方向摆去,然后向电阻值为∞方向退同(充电)。如果回ADM...[全文]
- 可变电容器2016/8/19 21:04:03 2016/8/19 21:04:03
- 电解电容c电解电容以金属氧化物膜做介质,以金属和电解质组作为电容的两极,如图311t所示。ADM483EAN金属为正极,电解质为负极。电解电容器,在相同容量的和耐压下,其体积比其他电容要小上几个...[全文]
- 电阻器的分类2016/8/18 22:00:24 2016/8/18 22:00:24
- 电阻器可分为固定电阻器、可变电G794D5U阻器和敏感电阻器三大类。固定电阻器是指阻值固定不变的电阻器,通常简称为电阻。主要用于阻值固定而不需要调节变动的电路中。可变电阻器叉称变阻器或电伫器,主...[全文]
- 常用磁性材料2016/8/18 21:37:13 2016/8/18 21:37:13
- 磁性材料分为两大类:软磁材料和硬磁材料。1.软磁材料软磁材料的主要特点是高导磁率和低矫顽力。这类材料在较弱的外磁场下就能获得高磁感应强度,G6K-2G-Y-TRDC3...[全文]
- 应用标准化的橡胶-金属减振器2016/8/16 21:56:08 2016/8/16 21:56:08
- 目前在电子工业中,应用标ICL7107准化的橡胶-金属减振器,如图1.3.7所示,图(a)所示为JP型平板式减振器;图(b)所示为JW型碗式减振器。如图1.3.8所示为JZN型阻尼式减振器。...[全文]
- 盐雾的形成及危害2016/8/15 22:00:24 2016/8/15 22:00:24
- 由于海水被海风(包括巨大的台风)吹卷及海浪对海岸冲击时飞溅的海水微滴被卷入空中,与潮湿大气结合形成带盐分的雾滴,称为盐雾。MLF1005AR68KT故盐雾只存在于海上和沿海地区离海岸线较近的大气...[全文]
- 密封是防止受潮气长时期影响的最有效方法2016/8/15 21:45:25 2016/8/15 21:45:25
- 灌封。在元器件本身或元器件与外壳间的空间或引脚孔中,注入加热熔化后的有机绝缘材料,冷却后自行固化封闭。此种工艺叫灌封或灌注。MLF1005A1R5KT灌封的防潮性能是由灌封材料或混合物的物理性、...[全文]
- 元器件可靠性2016/8/14 18:35:29 2016/8/14 18:35:29
- 为了对电子产品或系统的可靠性进行分析研究,必须研DAC7512究构成电子产品或系统的元器件的可靠性。元器件的可靠性通常用经过大量试验而统计出来的失效率来表征。实践发现,普通元器件和...[全文]
- 操纵与维护人员对电子产品的要求2016/8/14 18:23:38 2016/8/14 18:23:38
- 操纵人员对电子产品的要求。①为操纵人员创造良好的工作条件。例如要D92-02求产品使用中不产生令人厌恶的噪音,且色彩调和,给人以好感。安装位置要适当,令操纵人员舒适、精神安宁、注意...[全文]
- 平面型封装2016/8/12 21:22:35 2016/8/12 21:22:35
- 目前有许多LED器件采用表面贴装器件型封装结构,也称作SMD(StlrfaccMountcdDcl/忆cs)器件,AFB0412HHB对于单色LED器件,芯片表面的透明封装胶灌封成平面状,对出光...[全文]
- LED芯片的出光特性2016/8/12 21:14:35 2016/8/12 21:14:35
- 在使用各类LED器件用于照明和显示的场合,大都对器件发光的特性有特定的要求,而为了加配二次光学部件也必须对器件本身的光学特性进行分析。一般光源的光谱范围、光通量或辐射通量、光效等参数都与芯片自身...[全文]
- 转移衬底器件的反射镜 2016/8/10 21:14:10 2016/8/10 21:14:10
- 对于LED来说,制作反光镜后,外延层转移到一个新的载体(GaAs,Si,Cu,蓝宝石等)上,JST6N80F然后把外延生长衬底去掉,这种类型的LED称为转移衬底LED,也称作薄膜发...[全文]
- GaAs基LED高光提取技术 2016/8/10 20:53:51 2016/8/10 20:53:51
- 对AlGaInPLED来说,影响光JST2N60D效的因数之一是半导体材料(折射率为3.0~3.5)与其周围媒质之间折射率差偏大导致的内部反射。光从高折射率幻的半导体材料出射到低折射率刀1的周围...[全文]
- 电流阻挡层2016/8/10 20:51:23 2016/8/10 20:51:23
- 即使生长了电流扩展良好的导电层,金属电极下面的电流仍然很大。HC.Wang等人⒓1]在电极的正下方加入siα绝缘层,阻止电流流向电极下方,JST12N65F避免了有源区发出的光被电极吸收,另外一...[全文]
- 有、无ITo透明电流扩展层LED点亮后的效果2016/8/10 20:49:17 2016/8/10 20:49:17
- ITo薄膜作为AlCJaInPLED电流扩展层,不同管芯尺寸对电流扩展的影响。JST12N60F在电极尺寸一定的情况下,随着管芯尺寸变大,ITo电流扩展层对管芯发光强度的变化影响显...[全文]
- 红、黄光LED电极结构及电流扩展技术 2016/8/9 21:12:17 2016/8/9 21:12:17
- 因为A1GaInP材料p型掺杂困难给上电极下的电流扩展带来问题,上电极注入的电流主要集中在上电极下面,此处发出的光会被上面的电极阻挡,有效发光区面积小,BAF04-24153-0502发光二极管...[全文]
- 衬底材料的粗糙度及DBR膜层质量对DBR反射率有影响2016/8/9 20:30:45 2016/8/9 20:30:45
- DBR膜层质量以及衬底材料的表面粗糙度同样会影响到结构的反射率。如图5-45所示为不同粗糙度衬底镀出的、不同膜层质量的DBR膜系。B06B-XASK-1在GaN基LED背镀DBR制程中,蓝宝石衬...[全文]
- 分布布拉格反射镜 (Distribution Blagg Reflector) 2016/8/8 21:04:31 2016/8/8 21:04:31
- 分布布拉格反射镜(DBR)是以ABABAB・……形式交FM25640-G错生长的若干对两种(或者两种以上)的半导体或介质材料,以此来获得对某一光学波段的高反射率。制作布拉格反射镜需...[全文]
- 形成低接触电阻的欧姆接触2016/8/7 18:21:53 2016/8/7 18:21:53
- 垂直结构芯片,其P、N电极焊盘分别在芯片的两边,一般N电极朝上,为出光面,因此N电极焊盘要求保证与n~GaN形成低接触电阻的欧姆接触的同时具有高的反射率,P电极面不出光,要求高反射率,同时与p-...[全文]
- 空穴则由光增强化学湿法刻蚀中所产生的空穴提供2016/8/7 18:01:15 2016/8/7 18:01:15
- 空穴则由光增强化学湿法刻蚀中所产生的空穴提供。对于n型GaN来说,多余的电子向GaN内部移动,EP1C20F324C7N对于蓝宝石衬底的n~⒍Ⅸ来说是Ga极性的,所以很多研究者采用PEC刻蚀时需...[全文]
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