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影响测试结构的因素

发布时间:2016/6/25 22:40:04 访问次数:395


   影响测试结构的因素。工艺参DAC08AQ数的监测中用的最多的微电子测试图是用于测量各种掺杂区域薄层电阻的范德堡图形,因其结构是一个正十字,所以又称为正十字图形。正十字的中心部分是测试薄层电阻的有效区域。在设计范德堡图形时,要根据具体工艺流程,正确合理地安排图形中各层次的图形结构关系,以保证工艺完成后,从正十字的中心位置上测得的是要求的薄层电阻。设计的图形应高度对称,正十字区域的面积不应过大,引出臂长度的选择要合理,长宽比为1~2为好。

   互连线是微电子集成电路中用于电连接的金属薄膜导体,互连线测试结构应足够长,才能较好地考察互连线的完整性。

   金属化电迁移测试结构图形是一条直的金属线,设计在氧化层上。横截面积均匀性要好,以保证测试线在形成明显的空洞以前有近似均匀的温度。

   在应力作用下被测的金属条性能要稳定,能够对金属化质量问题做出敏感的响应,各个结构的电阻或由于电迁移而产生的失效特性不会随时间发生明显的变化。测试结构的中位寿命应足够长,这样在电迁移时测试结构的电阻发生明显的变化前,能够测量测试结构的电阻。温度的选取会影响失效时间的精度,若所取的温度与金属条在应力作用下的温度平均值不同,则测量出的可靠性参数会不准确。当用中位失效时间对相同厚度的金属化比较时,涉及的测试线应有相同的设计宽度;否则,与线宽有关的失效时间会使这种比较没有太多意义。在测试结构上的电压降应进行限制,以减少电路在失效的瞬间可能因大的电阻所产生的热能。


   影响测试结构的因素。工艺参DAC08AQ数的监测中用的最多的微电子测试图是用于测量各种掺杂区域薄层电阻的范德堡图形,因其结构是一个正十字,所以又称为正十字图形。正十字的中心部分是测试薄层电阻的有效区域。在设计范德堡图形时,要根据具体工艺流程,正确合理地安排图形中各层次的图形结构关系,以保证工艺完成后,从正十字的中心位置上测得的是要求的薄层电阻。设计的图形应高度对称,正十字区域的面积不应过大,引出臂长度的选择要合理,长宽比为1~2为好。

   互连线是微电子集成电路中用于电连接的金属薄膜导体,互连线测试结构应足够长,才能较好地考察互连线的完整性。

   金属化电迁移测试结构图形是一条直的金属线,设计在氧化层上。横截面积均匀性要好,以保证测试线在形成明显的空洞以前有近似均匀的温度。

   在应力作用下被测的金属条性能要稳定,能够对金属化质量问题做出敏感的响应,各个结构的电阻或由于电迁移而产生的失效特性不会随时间发生明显的变化。测试结构的中位寿命应足够长,这样在电迁移时测试结构的电阻发生明显的变化前,能够测量测试结构的电阻。温度的选取会影响失效时间的精度,若所取的温度与金属条在应力作用下的温度平均值不同,则测量出的可靠性参数会不准确。当用中位失效时间对相同厚度的金属化比较时,涉及的测试线应有相同的设计宽度;否则,与线宽有关的失效时间会使这种比较没有太多意义。在测试结构上的电压降应进行限制,以减少电路在失效的瞬间可能因大的电阻所产生的热能。

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6-25影响测试结构的因素

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