当氧化层越来越薄时,除了一般观察到的硬击穿(HBD),还有应力导致的漏电流(sILC)、 HB5-3/0VP-A软击穿(sBD),对于超薄栅氧化层的TDDB特性,在统计分布中使用第一次击穿作为击穿时间。TDDB效应的测量表明,TDDB效应与氧化层的面积和厚度有关,也与环境温度有关,面积越大越容易出现击穿。

   从栅氧的击穿机理也就清楚了改进措施。如应注意控制原材料硅中的C、o等微量杂质的含量,在加工工艺中应采取各种有效的洁净措施,防止N扩、灰尘等沾污。热氧化时采用两步或三步HCl氧化法:先用高温低速生长一层约2nm的sio2,使si/So2界面平整,然后再正常生长s⒑2层。可以使用化学气相沉积(CⅤD)生长s⒑2或掺氮氧化以改进栅氧质量等。栅氧易受静电损伤,它的损伤是积累性的,使用中必须采取防护措施。