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金属层1

发布时间:2016/6/19 18:19:47 访问次数:540

    涂覆低庀介质,接着沉积So2。随后进行EP20K600EFC672-2X金属1的光刻,腐蚀Sio2和低庀介形成金属1填充的凹槽,如图4.24所示。

   图424 金属l凹槽

   沉积Ta作为铜浸润层,采用CVD法沉积金属铜,金属l凹槽被铜填充,接着用CMP方法去除圆片表面的铜,最终形成金属1的互连。如图4.25所示。

   

 

    涂覆低庀介质,接着沉积So2。随后进行EP20K600EFC672-2X金属1的光刻,腐蚀Sio2和低庀介形成金属1填充的凹槽,如图4.24所示。

   图424 金属l凹槽

   沉积Ta作为铜浸润层,采用CVD法沉积金属铜,金属l凹槽被铜填充,接着用CMP方法去除圆片表面的铜,最终形成金属1的互连。如图4.25所示。

   

 

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