- 绝缘钝化层设计2016/8/6 16:02:42 2016/8/6 16:02:42
- 高压LED未淀积电极前的结构图如图⒋47所示,若直接淀积电极,导线电极走过的路径如图中红色虚线部分,K4S560432E-TC75则导线经过多量子阱(MQW)区,会导致发光单元从内部短路,因此需...[全文]
- 增加LED灯具的可靠性2016/8/6 15:46:31 2016/8/6 15:46:31
- 要想驱动普通LED需要很大的电流,因此在电源转换电路中的电子元器件工作在高电流的环境下,K4M513233C-DN75由于LED的工作时间很长,在这种环境下持续工作的电子元器件不断产生热量将导致...[全文]
- 倒装结构芯片及制备工艺 2016/8/5 20:27:09 2016/8/5 20:27:09
- 倒装芯片封装技术是IBM公司于19ω年所开发,为了降低成本,提高速度,提高组件可靠性,JCY0132倒装芯片使用在第一层芯片与载板接合封装,封装方式为芯片正面朝下向基板,无需引线键合,形成最短电...[全文]
- 大功率芯片通常也是采用中功率的5次光刻制程2016/8/5 20:24:56 2016/8/5 20:24:56
- 大功率芯片通常也是采用中功率的5次光刻制程(MEsA→CBL→ITO→PAD→PV),但是背镀层会由DBR改为ODR(全方位反射层)。oDR的结构主要是在DBR放射层的基础上再增加高反射率的金属...[全文]
- 5次光刻工艺流程2016/8/5 20:16:37 2016/8/5 20:16:37
- 在小功率的3次光刻工艺的基础上增加了电流具体工艺流程图如图⒋25所示。中功率芯片一般会采用CBL结构。P电极正下方的有源区进行复合发光,这部分JCC5055光基本都被...[全文]
- 制作透明导电层2016/8/5 20:01:37 2016/8/5 20:01:37
- 制作透明导电层。采用电JAGASMAE子束蒸发或者其他方式制作透明导电层,目前比较成熟的透明导电材料为氧化铟锡(ITO),ITO材料有良好的导电性能同时本身为透明材料,并且ITo材料可以与p-⒍...[全文]
- 正装结构设计及制各工艺 2016/8/5 19:47:13 2016/8/5 19:47:13
- LED行业目前大规模生产的蓝绿光LED芯片,通常是使用金属有机化学气相沉积机台(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN层形成GaN外延片,J430BNRB1并通过复杂的芯片制程将外延片加工成单颗L...[全文]
- 显影过程常出现的问题2016/8/4 20:31:24 2016/8/4 20:31:24
- 显影过程中常出现的问题如图⒋12所示,有显影不足、过显影、显影不完全等常见问题。MC13211显影液温度、显影时间、显影次数、每次显影液的量等均是显影时的关键参数。对于正胶,温度越低,正胶的溶解...[全文]
- 显影2016/8/4 20:22:03 2016/8/4 20:22:03
- 用化学显影液溶解由曝光造成的可溶区光刻胶区域的过程就是显影,其目的MC13202FC就是把掩膜板图形准确的复制到晶片表面上。如图4-11所示是LED芯片制造最常用的旋转式浸没显影,一般采用的是多...[全文]
- 负性光刻示意2016/8/3 21:53:42 2016/8/3 21:53:42
- 如图4-7所示,负性光刻将与掩膜板图形相反的图形复制在晶片表面,其基本特征是经过曝光后,JST7809CV光刻胶发生交联反应而不能被显影液溶解,保留在晶片表面作为后续工序的保护层,其余没有被曝光...[全文]
- V/Ⅲ比不但对本底材料的掺杂特性有影响2016/8/2 19:35:44 2016/8/2 19:35:44
- 低V/III比时本底G扒s表现为p型与C的寄生掺杂有关,C在GaAs中占据As位起受主杂质作用。本底GaAs中的寄生C杂质来源于TMGa源中的CH3官能团,当V/III较低时,来自CH3中的C就...[全文]
- 溶解度2016/8/1 23:01:30 2016/8/1 23:01:30
- 由于Mg原子在GaN中的激活效率较低,为了实现高空穴浓度的p型材料,必须进行高浓度的Mg掺杂。L7806CV-DG而在热力学平衡的条件下,GaN中的Mg杂质浓度存在一个最大值,即Mg在G焖中的溶...[全文]
- 必须进行高浓度的Mg掺杂2016/8/1 22:52:06 2016/8/1 22:52:06
- 在氮化物材料体系中,材料的n型化技术难度小,并且非故意掺杂的氮化物经常呈现很高的n型背景载流子浓度,掺杂的n型GaN的电子浓度很容易达到1019c盯3的量级,而氮化物的p型掺杂难度较高。L780...[全文]
- 一般GaN垒层生长温度较高2016/8/1 21:22:04 2016/8/1 21:22:04
- 在量子阱生长过程中,温度变L6562DTR化的控制十分重要,因为一般GaN垒层生长温度较高,而IIllGal”N阱层生长时为了保证In组分的并入率需要较低的生长温度。由于GaN势垒层和InGaN...[全文]
- 双异质结量子阱结构2016/8/1 20:46:17 2016/8/1 20:46:17
- 当宽禁带材料和窄禁带材料交替生长,窄禁带材料在两宽禁带材料中间时就形成了双异质结量子阱结构,如图⒉11所示。由于窄禁带材料的导带底低于宽禁带材料导带底,L3G4200D价带顶高于宽禁带材料价带顶...[全文]
- 非平衡pn结2016/7/31 16:54:06 2016/7/31 16:54:06
- 由前面内容可知,在pn结内同时存在由载流子浓度分布不均匀引起的扩散电流和由内建电场引起的漂移电流。AH202在无外加电场时,扩散电流和漂移电流相互抵消;有外加电场时,由于势垒区内载流子浓度低,外...[全文]
- 原子力显微镜激光束反射探测原理2016/7/31 16:07:36 2016/7/31 16:07:36
- AFM悬臂的大小在数十至数百微米,通常由硅或者氮化硅构成,其上装有探针,探针尖端的曲率半径在纳米量级。当探针被放置到样品表面附近时,ADM812悬臂上的探针头会因受到样品表面的范德瓦耳斯力而弯曲...[全文]
- 运行PSpice程序2016/7/30 12:11:55 2016/7/30 12:11:55
- 完成上述3项工作后，即可调用PSpiceAD程序对电路进行模拟分析（参见第3章和第4章）。ASDX015D44R还可以进一步调用PSpiceAA（参见第6-章）对通过了模拟验证的电路进行灵敏度分...[全文]
- 电容电压测试技术2016/7/29 22:21:00 2016/7/29 22:21:00
- 电压电容(C-V)测量技术是利用pn结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性,以获得材料中杂质浓度及其分布信息。传统C-V测量需要制备一个金属一半导体接触的肖特基结二极管,BAV99S-NXP以获得...[全文]
- 高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B的仪器2016/7/29 22:07:53 2016/7/29 22:07:53
- 上面讨论的是n型半导体样品产生的霍尔效应,B侧面电位比A侧面高;对于p型半导体样品,BAV99/8由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴,与n型半导体的情况相反,A侧面积累正电荷,B侧面积累负电荷...[全文]
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