如何处理硅片表面的化学物质一直以来是清洗工艺所面临的挑战。一般地OP262HRU-REEL ,栅氧化前的清洗用稀释的氢氟酸溶液,并将其作为最后一步化学品的清洗。这叫做HF结尾。HF结尾的表面是憎水性的,同时对低量的金属污染是钝化的。然而,憎水性的表面不容易被烘干,经常残留水印。另一个问题是增强了颗粒的附着,而且还会使电镀层脱离表面。

   RCA清洗。20世纪ω年代中,Wamcr Kem,一名RCA公司的工程师,开发出了一种两步的清洗工艺,以除去晶圆表面的有机和无机残留物。这一工艺被证明非常有效,而它的配方也以简单的“RCA清洗”为人们熟知。只要提到RCA清洗,就意味着过氧化氢与酸或碱同时使用。1号标准清洗液(sC-1)的化学配料为NH40ⅣH2o/H20(氢氧化铵/过氧化氢/去离子水),这三种化学物质按1∶⒈5到⒈⒉7的配比混合。2号标准清洗液(sC―2)的组分是HCl/H202/H20(盐酸/过氧化氢/去离子水),按1∶l∶6至刂l∶2∶8的配比混合。这两种化学配料都是以过氧化氢(H202)为基础,习惯上在75~85℃之间使用,存放时间为10~20min。

   1号标准清洗液(sC―D是碱性溶液,能去除颗粒和有机物质。对于颗粒,SC-1湿法清洗主要通过氧化颗粒或电学排斥起作用。过氧化氢是强烈氧化剂,能氧化表面和颗粒,颗粒上的氧化层能提供消散机制,分裂并溶解颗粒,破坏颗粒和硅片表面之间的附着力,使颗粒变得可溶于sC―1溶液而脱离表面,如图3.10至图3.11所示。