PCM技术具有准确、方便的DAC08HQ优点,该技术在工艺线上的应用,成为工艺质量保证的重要方法,从技术上来说它具有以下作用:工艺参数提取、进行工艺监测、为sPC控制提供数据,通过PCM测试发现和修改图形库中测试结构存在的问题。通过PCM监测及时反映工艺中存在的质量问题,如埋层电阻的监测反映外延工艺前的腐蚀工艺和外延生长初始阶段工艺控制情况。当控制不当时,埋层电阻增大,那么同一批电路的埋层电阻过大,集电极串联电阻增大,饱和压降过高,电路功能发生变化。因此薄层电阻作为基本参数在工艺中是要严格监测和控制的。

   由于MOs电路与双极电路工艺不同,采用的PCM坝刂试结构也不一样,作用也就不同,以下分别进行描述。

   MOS电路的PCM测试结构的作用。MOs单管结构,包括相同沟道宽度不同沟道长度的N管和P管、不同沟道宽度的N管和P管、宽沟道的N管和P管,主要用来考察器件参数和进行器件模型参数提取;PN结结构,包括疒`结和N+″二极管等,主要用来考察结特性和完整性;电阻结构,包括N+、芦电阻,N、P阱电阻,多晶硅电阻等,主要用来考察各种扩散及注入薄层电阻。介质结构,包括绝缘介质电容、栅氧化层电容等,主要用来考察介质的绝缘性、栅氧化层完整性;金属化测试结构,包括金属电阻、桥接和连续性、金属条等,主要用来考察金属薄层电阻、金属抗电迁移能力、金属间短断路、金属晶粒的大小;接触测试结构,包括接触电阻、接触孔链、金属通孔链等,主要用来考察接触电阻的大小,也就反映接触窗口工艺及半导体掺杂工艺的质量。