- 电子负电荷积累模型2016/6/20 21:12:34 2016/6/20 21:12:34
- 电子负电荷积累模型。s⒑2在一定电场作用下,产生FN隧穿电流,电子从阴极注入氧化层中,HB24-1.2-A注入电子在阴极附近可产生新的陷阱或被陷阱所俘获,局部电荷的积累使其与阳极间某些局部地区...[全文]
- 与时间有关的栅介质击穿的机理2016/6/20 21:05:24 2016/6/20 21:05:24
- 氧化层的击穿机理(过程),目前认为可分为两个阶段,第一阶段是建立(磨损)阶段,在电应力作用下,HB15-1.5-A氧化层内部及Sys⒑2界面处发生缺陷(陷阱、电荷)的积累,积累的缺陷(陷阱、电荷...[全文]
- 接触孔(Contact)2016/6/18 20:57:59 2016/6/18 20:57:59
- 前段工序完成器件制作后,后段工序进行器件之间的互连。0.18umCMOS的介质平坦化采用CMP工艺。孔的填充材料采用钨(W),互连采用Al。OP221GS-REEL首先沉积一层TEOS,然后沉积...[全文]
- 光刻掩模版缺陷2016/6/17 21:31:31 2016/6/17 21:31:31
- 光刻掩模版缺陷(Defc∝ofphotomask)。光刻掩模版是电路图样的母版,在光刻工艺中被复制到晶圆表面上。H12WD4850PG光刻掩模版的缺陷会导致晶圆上的缺陷或电路图样变形。一般有3种...[全文]
- 标准清洗液(sC-2)去除碱金属离子2016/6/17 20:40:01 2016/6/17 20:40:01
- 2号标准清洗液(sC-2)去除碱金属离子、氢氧根及复杂的残余金属。它会在晶圆表面留下一层保护性的氧化物。为了去除硅表面的金属(和某些有机物)污,H03CF5必须使用高氧化能力和低pH值的溶液,在...[全文]
- 洁净的圆片是芯片生产全过程中的基本要求2016/6/16 21:10:07 2016/6/16 21:10:07
- 洁净的圆片是芯片生产全过程中的基本要求,但并不是在每个高温下的操作前都必须进行晶圆表面清洗。OP262DRU-REEL一般情况下,全部工艺过程中高达20%的步骤为晶圆清洗。清洗工艺贯穿芯片生产的...[全文]
- 超净闾的污染控制 2016/6/15 21:16:37 2016/6/15 21:16:37
- 超净间所用的建筑材料都应是不易脱落的材料,所有的管道口都要密封,可以CY6116A-45DMB采用不锈钢材料制造工作台。黏性地板垫。在每个超净间入口都应放置一块黏性地板垫,这样可以...[全文]
- 细菌2016/6/15 21:09:00 2016/6/15 21:09:00
- 细菌是在水系统中或不定期清洗的表面生成的有机物。细菌一旦在器件上形成,CY27H010-55WMB会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子。自然氧化层如...[全文]
- 对于晶粒尺寸的对数正态分布2016/6/15 20:51:53 2016/6/15 20:51:53
- 对于晶粒尺寸的对数正态分布,也存在这样的晶粒尺寸坡度。由于早期失效(如金属迁移)主要是通过晶界扩散而发生的,因此所有这类结构的早期失效概率总是很高。CY27C512-45WMB对于有均匀晶粒尺寸...[全文]
- 随机缺陷2016/6/15 20:49:22 2016/6/15 20:49:22
- 随机缺陷随机缺陷定义为晶圆上性质为随机的缺陷。对于新一代产品,随机缺陷将和今天遇到的相同,但缺陷的可容许尺寸将相应缩小。CY27C256-90WMB例如,对于250nm特征尺寸的电路,80n...[全文]
- 金属硅化物的发展与演变2016/6/14 21:06:26 2016/6/14 21:06:26
- 金属硅化物在VLsI/ULsI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。EL5410CS硅化物(seliA1igncd⒍licide)工艺已经成为超高速CMOs逻辑大规...[全文]
- 金属膜的沉积方法 2016/6/13 21:45:53 2016/6/13 21:45:53
- 物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)是以物理方式进行薄膜沉积的一种技术,HC4066金属薄膜一般都是用这种方法沉积的。PVD主要有3种技术,分别是真空蒸发、溅射...[全文]
- 光刻胶的瀑光方式 2016/6/13 21:32:28 2016/6/13 21:32:28
- 以紫外光为光源的曝光方式分别有接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光3种,其他曝光方式有X射线曝光、电子束曝光、直接分步重复曝光、深紫外线曝光。HAT2174H-EL-E接触式光刻适用于5um及以上...[全文]
- 曝光2016/6/12 22:01:38 2016/6/12 22:01:38
- 将掩模版置于光刻胶层上,用一定波长的紫外线照射,使光刻胶发生化学反应。A3245LLHLT-T若不是第一次光刻图形,应保证本次光刻图形与硅片上己有的前几次光刻图形的套准。套准精度直接影响器件的成...[全文]
- 扩散掺杂工艺 2016/6/11 17:50:56 2016/6/11 17:50:56
- 扩散是一种基本的掺杂技术。通过扩AD7892BR-2REEL散将一定种类和一定数量的杂质掺入到硅片或其他晶体中,以改变其电学性质。掺杂可形成双极器件的基区、发射区和集电区,MOS器件的源区与漏区...[全文]
- BPsG的流动性取决于薄膜的组分2016/6/11 17:49:37 2016/6/11 17:49:37
- BPsG的流动性取决于薄膜的组分、工艺温度、时间以及环境气氛。实验表AD7892BR-2明,在BPSG中硼的浓度增大1%,所需回流温度降低大约硐℃。在LPCVD系统中回流所需温度与BPsG中掺杂...[全文]
- 生成氨化物和碳化物的反应2016/6/11 17:23:30 2016/6/11 17:23:30
- 碳化物的沉积通常通过卤化物和碳氢AD7892ARZ-2化物相互反应获得,其典型的化学反应式为TC△(气)+CH4(气)-△C(固)+4HCl(气)在氮化物的沉积过程中...[全文]
- 电参数退化2016/6/9 22:35:59 2016/6/9 22:35:59
- 电参数退化。电参数AD9880KSTZ-100退化是指双极型器件的电流增益下降、PN结反向漏电流增加、击穿电压蠕变等,对MOs器件则是平带电压、阈值电压漂移、跨导下降、线性区漏极电流和饱和区漏极...[全文]
- Noyce发明的第一块单片集成电路2016/6/8 21:27:32 2016/6/8 21:27:32
- 1959年7月,美国Fairchild公司的Noycc发明了第一块单片集成电路(如图1.2所示)。AD1671KQ他利用S⒑2膜制成平面晶体管,用沉积在⒏oo膜上和⒏02膜密接在一起的导电膜作为...[全文]
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