- MOs场效应晶体管的基本特性2016/6/30 21:36:32 2016/6/30 21:36:32
- NMOS晶体管结构如图9.1所示,由两个PN结和一个MOs电容组成。M0280SJ250栅极下面的区域是一个电容结构,MOs管的「/特性由该电容结构决定。对于增强型NMOS晶体管,当栅极不加电压...[全文]
- 测量接触电阻与温度的关系2016/6/30 21:34:43 2016/6/30 21:34:43
- 当对接触电阻的电迁移进行评价时,设计的开尔文电阻包括两个“L”型电阻。M0280SJ200其中一个由扩散层构成,另一个由金属层构成,位于所要测量的接触区交叉处,使注入电流通过扩散区并从相对金属端...[全文]
- MOs电容的设计 2016/6/30 21:19:38 2016/6/30 21:19:38
- 氧化层的完整性是半导体工业中最复杂的可靠性问题,因为许多与工艺有关的过程都会影响到氧化层的完整性。M0268SJ200这些因素包括针孔、固定电荷、可动离子、电子/空穴陷阱、界面态、杂质、溅射工艺...[全文]
- 天线效应的消除2016/6/29 21:22:23 2016/6/29 21:22:23
- 为了避免天线效应,应减小直接连接栅的多晶硅和金属1的面积,使它们的面积与晶体管的栅氧面积之比保持在一定的比例以下(该比例由芯片工厂给出)。HCPL2531SD这可以通过采用金属2过渡来实现。在金...[全文]
- VLSI突出的可靠性问题2016/6/29 21:10:30 2016/6/29 21:10:30
- 按等比例缩小原理,器件尺寸缩小庀倍,电源电压减少佬倍,掺杂浓度增加庀倍。HCNR200-500E这一等比例缩小规则已令人满意地使器件沟道长度缩小到90nm,但其中有两个致命的可靠性问题。首先是线...[全文]
- 信号屏蔽技术可以将敏感信号线屏蔽起来2016/6/29 20:46:03 2016/6/29 20:46:03
- 信号屏蔽技术可以将敏感信号线屏蔽起来,消除其他信号对它们的干扰。但是,H1012NL该类屏蔽方法会使布线很复杂,而且会导致信号线与地线之间的寄生电容增加。将电源线退耦。电源...[全文]
- 0.18uM LOgic1g/33v1P6M标准工艺2016/6/28 21:47:34 2016/6/28 21:47:34
- (1)生产前期。工艺流ADG739BRUZ程开始前,客户(IC设计公司)从生产厂家获取指定工艺的设计规则、PCM参数规范及参数模型。客户依据生产厂家提供的信息建立数据库。生产厂家建立一个测试模块...[全文]
- 可靠性测试结构2016/6/27 22:36:43 2016/6/27 22:36:43
- 可靠性测试结构是指用于可靠性评价试验的NMOsFET单管、PMOsFET单管、BP5112大面积MOS电容和具有一定宽度及长度的金属互连线等。可靠性测试结构设计的内容:(1)布局,安排各个晶体管...[全文]
- 圆片级斜坡电压测试的主要目的是2016/6/27 22:05:07 2016/6/27 22:05:07
- 圆片级斜坡电压测试的主要目的是,从斜坡电压数据预测与时间有关的栅介质击穿失效时间,BP2325A计算缺陷密度和对氧化层进行筛选。通过设计一套有效的算法进行生产监控,影响氧化层退化的工艺过程能够被...[全文]
- 集成电路应用范围广泛2016/6/26 20:21:05 2016/6/26 20:21:05
- 集成电路应用范围广泛,门类繁IXGA16N60C2多,其分类方法也多种多样。本节介绍几种常见的集成电路分类方法。按半导体集成电路规模分类一个半导体集成电路芯片中包含的...[全文]
- 测试结构失效时流过的电流值不会变化2016/6/25 22:41:32 2016/6/25 22:41:32
- 结构之间所受应力与应力平均值的偏差会对各个测试结构的失效时间产生影响,DAC08AQ/883C这会导致测量点的分布特性变差。应力偏差需保持在一个比较小的范围内,使失效时间的变化不超过20%。应力...[全文]
- PCB板对准技术的改进2016/6/24 22:53:36 2016/6/24 22:53:36
- 如今的平行sMD贴装系统,在设备运行中都使用摄像装置来对准、识读PCB基准标志。E32-TC400当被搜索的PCB板通过设备传送时,事实上就引入了不精确的因素,为保证按技术标准规定的精度贴装每一...[全文]
- 具有软件控制PCB宽度调节2016/6/24 22:51:12 2016/6/24 22:51:12
- 由于电子产品市场生命周期缩短,制造商们常常不得不面对小批量多品种生产模式,同E32-TC200-U1-1时随着产品向小型化方向发展,元器件供应商们也在不断开发新的封装方式。因此,电子制造商必须更...[全文]
- 常用的微波峰选择焊接设备系统2016/6/24 22:38:40 2016/6/24 22:38:40
- (1)常用的微波峰选择焊接设备系统微波峰选择焊接设备系统,E32-TC200B4R目前世界上存在多种模式,其中以德国ERSA的较好,设备的外形。(2)微波峰选择性焊接...[全文]
- 电子工业,包括元器件领域的迅速发展2016/6/24 22:35:29 2016/6/24 22:35:29
- (1)有利于产品的市场竞争电子工业,包括元器件领域的迅速发展,使电子产品进一步向高功能和微小型化方向发展。E32-TC200B例如,移动电子产品,由于全球化的竞争促使这类产品的制造...[全文]
- 人工烙铁焊接2016/6/24 22:32:53 2016/6/24 22:32:53
- 人工烙铁焊接在要求高质量和高可靠性的E32-TC200A组装电路板领域中(如汽车行业的安全装置的组装电路板),使用人工焊接是不允许的。一个好的工艺在人工焊接中很难完全重现,它完全依...[全文]
- 核爆炸瞬间2016/6/23 21:33:52 2016/6/23 21:33:52
- 核爆炸瞬间。核爆炸ADM1068AST-REEL7瞬间在空间产生的核电磁脉冲是一次很强的电浪涌。当电子设备之间的连线或电缆屏蔽不良时,在导线或电缆线内会感应出很强的电浪涌。信号系统...[全文]
- 金溶于铝的速度比较快2016/6/22 21:37:52 2016/6/22 21:37:52
- 金一铝键合处开路失效后,在电测试中又会恢复正常,表现出时通时断现象。JBP28S42此时可进行高温(200℃以上)存储,观察开路失效是否再次出现来确定。金铝化合物的生长速度取决于金和铝的纯度、有...[全文]
- 氧化层中的水增强了NBTI效应2016/6/21 22:55:59 2016/6/21 22:55:59
- 氧化层中的水增强了NBTI效应。来自Sanyo的Sasada等人在卜200℃下对氧化层厚度为11nm的器件施加应力,OF140SC50D采用电荷泵的方法来确定nt°通过在器件的不同区域覆盖氮化硅...[全文]
- 氘必须通过隔离层扩散2016/6/21 22:24:36 2016/6/21 22:24:36
- 这可能是由于其较慢的扩散系数。氘可以OF140SB100D在器件加工的早期或晚期引入,通过退火可以在si/s⒑2界面处引入D,其中主要涉及以下3个过程:①氘必须通过隔离层扩散;...[全文]
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