对于晶粒尺寸的对数正态分布,也存在这样的晶粒尺寸坡度。由于早期失效(如金属迁移)主要是通过晶界扩散而发生的,因此所有这类结构的早期失效概率总是很高。 CY27C512-45WMB对于有均匀晶粒尺寸分布的纳米金属,导体内的应力是均匀的,这种结构的早期失效概率较小。这种结构的中位失效时间(Mean△mc TO Failure,MTTF)要低于晶粒尺寸较大的结构。但这并不会带来严重问题,因为产品在市场中的平均寿命己经大大低于所有器件的MTTF。

   根据缺陷和结构特性的讨论,一个区缺乏微结构同质性会造成应力的上升。一个工艺步骤后薄膜中的应力直接与薄膜中存在的缺陷数有关。圆片在一个工艺步骤后的总体应力图可提供有关圆片上分布的缺陷密度的重要信息。但圆片中的缺陷不是随机分布的,而是趋向于丛生。这种丛生现象随着圆片尺寸的增加而越来越明

显。在圆片的一个区中的应力量升高是缺陷密度较高或缺陷丛生的宏观指示,因此可作为自动缺陷检测和分类工具的输入。